光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件技术

一种光学元件包括第一层（４），所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层（２），所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层（３），位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光学元件和包括这种光学元件的光刻设备，一种用于制造器件的 方法以及由该方法制造的器件。更具体地，光学元件可以用作用于激光产生等离子体(LPP) 极紫外(EUV)源的反射掠入射光谱纯度滤光片。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个 目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描 所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移 到衬底上。当使用激光产生等离子体源时，激光辐射本身表示由于等离子体的散射和反射而 入射到极紫外光刻工具中的相当大量的不想要的辐射。通常，使用具有大约10.6iim波长 的0)2激光器。因为极紫外光刻系统的光学元件对10.6 ym具有高的反射率，激光辐射以相 当高的功率传播到光刻工具。功率的一部分最终被晶片吸收，这引起不想要的晶片升温。美国专利第7，196，343B2号公开了一种反射掠入射光谱纯度滤光片(SPF)用于过 滤深紫外(DUV)辐射。这种SPF包括两个具有对一个极化深紫外辐射的抗反射(AR)涂层 的垂直反射镜。通过使用如图5所示的两个垂直的反射，(大多数未极化的)深紫外辐射 由于在衬底中吸收而被有效地抑制。此外，抗反射涂层的特征在于，其对极紫外具有高反射 率，使得极紫外辐射大多数被反射。所述光谱纯度滤光片不适于抑制激光产生等离子体源中的10. 6 y m辐射，其主要 原因是两个对10. 6 ym的抗反射涂层通常对极紫外具有较低的反射率；和通常的反射镜 衬底反射而不是吸收10. 6 y m辐射。
技术实现思路
本专利技术的实施例可以通过提供光学元件来提高光谱纯度，所述光学元件包括第 一层，所述第一层包括第一材料，所述第一层对第一波长的辐射是反射的，其中第一层配置 成对第二波长的辐射是基本上透明的或吸收的；第二层，第二层包括第二材料，第二层配置 成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，并且第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，其中，第一层位于入射 辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高EUV辐射的光谱纯度。根据本专利技术的一方面，提供一种光学元件，包括第一层，所述第一层包括第一材 料，所述第一层配置成对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分透明； 第二层，包括第二材料，第二层配置成对第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第 三材料，其位于第一层和第二层之间，并且第三层对第二波长的辐射是至少部分透明的，第 一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射 的光谱纯度。根据本专利技术的一方面，提供一种光学元件，包括第一层，所述第一层包括第一材 料，第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分 透明；第二层，第二层包括第二材料，第二层配置成沿第二方向对第二波长的辐射是基本上 反射的，第一方向和第二方向彼此基本上不同，并且第三层包括第三材料，位于第一层和第 二层之间，第三层对第二波长的辐射是至少部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径 的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。根据本专利技术的一方面，提供一种光学元件，包括第一层，包括第一材料，第一层配 置成沿第一方向对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透 明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上散射的； 和第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长 的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游， 以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，配置成调节辐射束； 图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；支撑结构，配置成保持衬底；和投影系统，配置 成将所述图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，其中照射系统和/或所述投影系统包括 光学元件，所述光学元件包括第一层，包括第一材料，所述第一层配置成对第一波长的辐 射是反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层 配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和 所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射 辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，配置成调节辐射束； 图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；支撑结构，配置成保持衬底；和投影系统，配置 成将所述图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述照射系统和/或所述投影系统 包括光学元件，所述光学元件包括第一层，包括第一材料，所述第一层配置成沿第一方向 对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分透明；第二层，包括第二材料， 所述第二层配置成沿第二方向对所述第二波长的辐射是基本上反射的，第一方向与第二方 向是基本上彼此不同的；和第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所 述第三层对所述第二波长的辐射是至少部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相 对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，配置成调节辐射束； 图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；支撑结构，配置成保持衬底；和投影系统，配置成将所述图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述照射系统和/或所述投影系统 包括光学元件，所述光学元件包括第一层，包括第一材料，所述第一层配置成沿第一方向 对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分透明；第二层，包括第二材料， 第二层配置成对第二波长的辐射是基本上散射的；第三层，包括第三材料，位于第一层和第 二层之间，并且第三层对第二波长的辐射至少部分透明，第一层位于入射辐射的光学路径 的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。根据本专利技术的一方面，提供一种器件制造方法，包括图案化辐射束以形成图案化 辐射束；将所述图案化辐射束投影到衬底上；和用至少一个光学元件反射所述辐射束，所 述光学元件包括第一层，包括第一材料，所述第一层配置成对第一波长的辐射是反射的并 且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述 第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学元件，包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的；和第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射，所述第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：WA索尔，VY班尼恩，JHJ莫尔斯，MMJW范赫彭，AM亚库林，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]