校准方法和使用这种校准方法的光刻设备技术

本发明专利技术公开了一种校准方法和使用这种校准方法的光刻设备。所述校准方法包括：将图案形成装置的图案投影到衬底上；测量投影图案的最终位置；和从测量位置得出台位置的校准，其中，在测量期间，衬底围绕衬底的中心轴线从旋转开始位置朝向至少一个其他旋转位置旋转，并且测量对于衬底的至少两个不同的旋转位置中的每一个的投影图案的位置，其中通过平均对于衬底的不同的旋转位置中的每一个处的投影图案的测量位置，确定在投影期间发生的所述图案的位置中的投影偏差和／或在测量期间发生的所述图案的位置中的测量偏差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于光刻设备的校准方法以及一种使用这种校准方法的光刻设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上) 的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地 称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以 将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个 管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀 剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备 包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每 一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部 分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到 所述衬底上。已知地，使用位置测量系统用于测量光刻设备中的台(例如衬底台或掩模台)的 位置。例如，已经提出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于校准光刻设备的台的台位置的校准方法，所述方法包括步骤：将图案形成装置的图案投影到衬底的目标位置上；测量衬底上的投影图案的最终位置；和从投影图案的测量位置得出台位置的校准，其中，在测量期间，衬底围绕衬底的中心轴线从旋转开始位置朝向至少一个其他旋转位置旋转，并且测量对于衬底的至少两个不同的旋转位置中的每一个的投影图案的位置，其中所述图案围绕衬底的中心轴线是旋转对称的，和其中通过平均对于衬底的不同的旋转位置中的每一个处的投影图案的测量位置，确定在投影期间发生的所述图案的位置中的投影偏差和／或在测量期间发生的所述图案的位置中的测量偏差。

【技术特征摘要】
US 2009-10-28 61/255,7371.一种用于校准光刻设备的台的台位置的校准方法，所述方法包括步骤将图案形成装置的图案投影到衬底的目标位置上；测量衬底上的投影图案的最终位置；和从投影图案的测量位置得出台位置的校准，其中，在测量期间，衬底围绕衬底的中心轴线从旋转开始位置朝向至少一个其他旋转 位置旋转，并且测量对于衬底的至少两个不同的旋转位置中的每一个的投影图案的位置，其中所述图案围绕衬底的中心轴线是旋转对称的，和其中通过平均对于衬底的不同的旋转位置中的每一个处的投影图案的测量位置，确定 在投影期间发生的所述图案的位置中的投影偏差和/或在测量期间发生的所述图案的位 置中的测量偏差。2.根据权利要求1所述的校准方法，其中，在测量期间，围绕衬底的中心轴线从旋转开 始位置朝向至少两个其他旋转位置旋转衬底，并且测量衬底的至少三个不同的旋转位置中 的每一个的投影图案的位置。3.根据权利要求2所述的校准方法，其中，在测量期间，围绕衬底的中心轴线从旋转开 始位置朝向至少三个其他旋转位置旋转衬底，并且测量衬底的至少四个不同的旋转位置中 的每一个的投影图案的位置，所述至少四个旋转位置包括0度、90度、180度和270度的角 度。4.根据权利要求1所述的校准方法，其中通过平均在衬底的不同的旋转位置中的每一 个旋转位置处的投影图案的测量位置来确定投影偏差和测量偏差两者。5.根据权利要求1所述的校准方法，其中所述图案包括中心位于衬底的中心轴线的旋 转对称中心图案。6.根据权利要求1所述的校准方法，其中所述图案包括围绕所述图案的中心轴线的圆 周等距分开的子图案的旋转对称组件。7.根据权利要求1所述的校准方法，其中，在投影期间，位置测量系统配置成确定图案 将要被投影到衬底上的目标位置，其中所述投影偏差与位置测量系统中的偏差相关联。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：AX阿利扎巴拉戈，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]