一种光刻设备，包括被配置以调节辐射束的照射系统和被配置以支撑图案形成装置的支撑结构。图案形成装置被配置以将图案赋予辐射束。所述设备包括图案形成装置清洁系统，所述图案形成装置清洁系统被配置以提供静电力至污染物颗粒，所述污染物颗粒位于图案形成装置上且通过辐射束被施以电荷，以便从图案形成装置移除污染物颗粒。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻设备、制造器件的方法、清洁系统和清洁图案形成装置的 方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上) 的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可 选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。 可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个 或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知 的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标 部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定 方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描 所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述 图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。在光刻设备内及其周围，期望移除可能降低所形成的图案的品质的任何污染 物。尤其是，例如期望确保用于使投射到衬底上的辐射束形成图案的图案形成装置在可 行的程度上不受可能影响被投影到衬底上的图案的污染物颗粒的影响。在此之前，已 经知道用薄皮覆盖图案形成装置，该薄皮是被布置在设置有图案的表面上方的透明覆盖 物。这可以有利于图案形成装置的清洁，且没有损坏已经形成图案的表面的风险。另 外，保留在薄皮表面上的任何污染物颗粒将不会位于被图案化的表面的平面内。因此， 这样的颗粒不会正焦地成像到衬底上，且它们的影响被降低。
技术实现思路
不是总是可以将薄皮提供给图案形成装置。例如，在使用EUV辐射的光刻术 中，期望通过光刻设备的光学部件来最小化EUV辐射的吸收。因此，期望避免使用透射 光学元件，诸如吸收EUV辐射的薄皮。因此，可以不设置薄皮且可能期望提供用于清洁 图案形成装置的被图案化的表面的系统，该图案形成装置用于图案化EUV辐射束。这可 能提出巨大的挑战，这是因为待移除的颗粒可能非常小，例如，小如30nm的颗粒可能需 要被移除且将该颗粒附着至表面的力可能相对较大。因此，可能需要相当大的努力，以移除所述颗粒。然而，应当给予极大的关注以确保图案化的表面自身在移除颗粒的过程中没有被损坏。最终，应当理解，光刻设备是在商业环境中操作的。因此，期望用于清 洁图案形成装置的系统在系统的资金成本方面或在系统的运行成本方面上不会极大地增 加光刻系统的成本。如果相当大量的时间被用于清洁图案形成装置，那么运行成本可能 被极大地增加。期望提供一种改进的清洁系统，适合用于清洁光刻设备中的图案形成装置。根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括 照射系统，被配置以调节辐射束；支撑结构，被配置以支撑图案形成装置。所述图案形 成装置被配置以将图案赋予所述辐射束。所述设备还包括图案形成装置清洁系统，所述 图案形成装置清洁系统被配置以提供静电力至位于所述图案形成装置上的且被所述辐射 束施以电荷的污染物颗粒，用以从所述图案形成装置移除所述污染物颗粒。根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种器件制造方法，所述方法包括以 下步骤使用图案形成装置来图案化辐射束；和通过将静电力施加至已经被所述辐射束 施以电荷的污染物颗粒上，以从所述图案形成装置移除所述污染物颗粒。根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种用于图案形成装置的清洁系统， 所述图案形成装置被配置以将图案赋予辐射束。所述清洁系统包括支撑结构，被配置 以支撑所述图案形成装置；和清洁电极，被配置以定位成邻近于被所述支撑结构支撑的 所述图案形成装置。所述清洁系统包括电压源，所述电压源被配置以在所述清洁电极和 被所述支撑结构支撑的图案形成装置之间建立电压差，使得所述图案形成装置上的污染 物颗粒被从所述图案形成装置静电排斥和/或被静电地吸引至所述清洁电极。所述清洁 电极至少部分地被粘结剂涂覆，所述粘结剂被配置以粘附撞击所述清洁电极的污染物颗 粒。根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种用于清洁图案形成装置的方法， 所述图案形成装置被配置以将图案赋予辐射束。所述方法包括将清洁电极邻近于所述 图案形成装置布置；和在所述清洁电极和所述图案形成装置之间建立电压差，使得所述 图案形成装置上的污染物颗粒被从所述图案形成装置上静电排斥，和/或被静电吸引至 所述清洁电极。所述清洁电极至少部分地被用粘结剂涂覆，所述粘结剂被配置成粘附撞 击所述清洁电极的污染物颗粒。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中， 在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1描述根据本专利技术的一个实施例的光刻设备；图2示出根据本专利技术的一个实施例的清洁系统；图3示出根据本专利技术的一个实施例的清洁系统；和图4示出根据本专利技术的一个实施例的清洁系统。具体实施例方式图1示意性地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述设备包括照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐 射)；支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配 置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如 晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定 的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系 统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬 底W的目标部分C (例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、 电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构保持所述图案形成装置，即承载图案形成装置的重量。它以依赖 于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中 等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的 或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根 据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上 (例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与 更上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案 在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当 注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如 果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上 形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可 编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括 诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之 类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光刻设备，所述光刻设备包括： 照射系统，被配置以调节辐射束； 支撑结构，被配置以支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置以将图案赋予所述辐射束；和 图案形成装置清洁系统，被配置以提供静电力至位于所述图案形成装置上的且被所述辐射束施以电荷的污染物颗粒，用以从所述图案形成装置移除所述污染物颗粒。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：L斯卡克卡巴拉兹，VV伊万诺夫，KN克什烈夫，JHJ莫尔斯，LHJ斯蒂文斯，PS安提斯弗诺夫，VM克里夫特逊，LA多若克林，M范卡朋，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL
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