本发明公开了一种浸没式光刻设备以及一种器件制造方法。所述浸没式光刻设备包括流体限制系统，所述流体限制系统配置用于将流体限制到在投影系统和衬底之间的空隙。流体限制系统包括用于供给流体的流体入口，所述流体入口连接到入口端口和出口端口。所述浸...

本发明公开了一种组件、调节系统、光刻装置和方法。所述组件包括调节系统和可移入和/或移出被调节区域的对象。该调节系统具有向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，并构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。

本发明公开了一种光刻设备、投影组件、组合装置以及主动阻尼方法。该光刻设备包括：照射系统，配置用于调节辐射束；支撑件，用以支撑图案形成装置；衬底台，构造用于保持衬底；以及投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。该光刻设备进...

本发明涉及一种双台座光刻设备，其中，构建并设置台座使其相互协作，以便于执行连接扫描移动，用于将该设备从第一位置带到第二位置，其中在第一位置，所述液体被限制在所述台座中的第一台座支撑的第一衬底和最后元件之间，在第二位置所述液体被限制在两个...

本发明公开了一种光刻设备和方法，所述光刻方法包括以下步骤：基于由激光器发射至光刻设备的激光器辐射的光谱与通过所述光刻设备被投影到所述衬底上的图案的空间图像的表示，计算激光器度量；和使用所述激光器度量来修改所述激光器的操作或调整所述光刻设...

本发明公开了一种具有粘接到其上的涂覆膜的部分的光刻设备，所述光刻设备在所述设备的至少一部分上具有携带有涂层的可去除的粘合膜。在实施例中，公开了一种液体供给系统，所述液体供给系统具有液体限制结构，所述液体限制结构沿着在投影系统和衬底支撑件...

本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。在浸没光刻设备的液体限制结构中，细长的连续的开口形成用于供给液体至投影系统下面的空间的出口。细长的狭缝形成具有高剪切和压力梯度的区域，其偏转气泡离开像场。

本发明公开了一种用于实现基于模型的扫描器调整方法，所述方法采用参考光刻系统对第一光刻系统进行调整，所述参考光刻系统和第一光刻系统中的每个都具有用于控制成像性能的可调整参数。所述方法包括以下步骤：定义测试图案和成像模型；采用参考光刻系统对...

本发明提供一种光刻设备，其包括构造成调节辐射束的照射系统、用于图案形成装置的支撑结构、用于衬底的衬底台、投影系统和控制系统。图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。投影系统构造成将图案化的辐射束作为图像沿...

本发明提供一种等离子体辐射源、形成等离子体辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子体源的等离子体区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子体源内，在等...

一种光刻设备包括：照射系统，构造且设置以调节辐射束；和支撑件，构造且设置以支撑图案形成装置。所述图案形成装置能够将图案在其横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。所述设备还包括：衬底台，构造且设置以保持衬底；和投影系统，构造且设置以将图...

本发明提供一种减少等离子体辐射源中的快离子的方法。本发明公开一种具有阳极和阴极的辐射源以在阳极和阴极之间的放电空间内产生放电。在辐射源中形成等离子体，这产生例如ＥＵＶ辐射的电磁辐射。辐射源包括第一激活源以将第一能量脉冲引导到放电空间附近...

本发明涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩（１０）的一对电极（５）。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面（１３）。

本发明公开了一种辐射系统，用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生ＥＵＶ辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提...

本发明公开了一种具有自屏蔽电极（３１、３２）的辐射源（５０）。降低来自所述电极（３１、３２）的碎片。从所述电极（３１、３２）至ＥＵＶ光学元件（１０）的路径被电极本身的一部分阻挡（被称为自屏蔽）。这可以显著地降低电极产生碎片的量。在一个实...

一种辐射源，配置用以产生辐射。辐射源包括第一电极（１１；６１）和第二电极（１２；６２），配置成用以在使用期间产生放电，以由等离子体燃料产生用于发射辐射的等离子体。辐射源还包括：燃料供给装置，配置成将等离子体燃料供给到与所述第一电极（１１...

一种辐射源，所述辐射源被构造且被布置以产生极紫外辐射。所述辐射源包括：腔；第一电极，所述第一电极被至少部分地包含在所述腔中；第二电极，所述第二电极被至少部分地包含在所述腔中；和供给装置，所述供给装置被构造且被布置以提供放电气体至所述腔。...

一种用于ＥＵＶ辐射的光栅，所述光栅包括：多个反射线。每一反射线包括彼此相间布置的多个第一反射点和多个第二反射点。所述第一反射点和所述第二反射点被配置成以满足除以３６０度余１８０±１０度条件的相互相位差来反射ＥＵＶ辐射。

一种用于确定在衬底（１００）上的第一光栅（１１０）和第二光栅（１２０）之间的重叠误差的方法，所述第二光栅（１２０）位于第一光栅（１１０）的顶部上，第二光栅（１２０）具有与第一光栅（１１０）大致相同的节距（Ｐ１），第二光栅和第一光栅形成复...

一种光刻设备，配置成将图案化辐射束投影到衬底上，包括：支撑结构，配置成保持图案化物体；和测量系统，配置成探测存在于所述图案化物体的用户区域上的用户区域结构的取向和／或密度。根据前述权利要求中任一项的所述设备还包括调平信息系统，配置成通过...