辐射系统和光刻设备技术方案

本发明专利技术涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩（１０）的一对电极（５）。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面（１３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种辐射系统、 一种包括辐射系统的光刻设备、以及一种 用于改善辐射系统的重复率的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情 况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片) 上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯)上。通常，图 案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层 上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图 案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器， 在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案 形成装置将图案转移到衬底上。通常EUV辐射源使用等离子体产生辐射。等离子体包括自由移动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于产生电磁辐射的辐射系统，所述辐射系统包括：　一对电极，所述一对电极构造并配置成产生第一物质的等离子体和在所述等离子体内的箍缩；和　等离子体复合表面，其配置接近所述箍缩，所述等离子体复合表面构造并配置成中和多个等离子体颗粒 。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MMJW范赫彭，VY班尼恩，VV伊凡诺夫，KN科什烈夫，DJW科伦德尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]