光刻设备和器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻设备和器件制造方法。在浸没光刻设备的液体限制结构中，细长的连续的开口形成用于供给液体至投影系统下面的空间的出口。细长的狭缝形成具有高剪切和压力梯度的区域，其偏转气泡离开像场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备、一种液体限制系统以及一种器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，同以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。在欧洲专利申请出版物EP1420300和美国专利申请出版物US2004-0136494中，公开了一种双台或两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻设备，包括：衬底台，布置成保持衬底和沿扫描方向扫描衬底；投影系统，布置成将图像投影到衬底上，同时通过衬底台扫描衬底；和液体限制系统，布置成将液体限制到投影系统和衬底之间的空间；其中所述投影系统具有光轴并且布置成将图像投影到像场，所述像场在垂直于光轴和扫描方向的方向上具有小于在所述方向上所述空间的最大尺寸的最大尺寸；和所述液体限制系统具有在所述空间边界上的液体限制部件，所述液体限制部件限定布置用以引导液体朝向所述衬底的连续的、细长的液体供给开口，所述细长的液体供给开口在所述方向上具有大于所述像场的最大尺寸且小于所述空间的最大尺寸的尺寸。

【技术特征摘要】
2010.02.02 US 61/300,609;2010.05.06 US 61/332,0301.一种光刻设备，包括：衬底台，布置成保持衬底和沿扫描方向扫描衬底；投影系统，布置成将图像投影到衬底上，同时通过衬底台扫描衬底；和液体限制系统，布置成将液体限制到投影系统和衬底之间的空间；其中所述投影系统具有光轴并且布置成将图像投影到像场，所述像场在垂直于光轴和扫描方向的方向上具有小于在所述方向上所述空间的最大尺寸的最大尺寸；和所述液体限制系统具有在所述空间边界上的液体限制部件，所述液体限制部件限定布置用以引导液体朝向所述衬底的连续的、细长的液体供给开口，所述细长的液体供给开口在所述方向上具有大于所述像场的最大尺寸且小于所述空间的最大尺寸的尺寸。2.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述液体限制系统还限定多个其他液体供给开口，所述其他液体供给开口沿至少一条线布置并且具有比细长的液体供给开口的最大尺寸小的最大尺寸。3.如权利要求1或2所述的光刻设备，其中，相对于所述细长的液体供给开口，所述液体限制部件还在所述空间的另一侧限定第二细长液体供给开口。4.如权利要求1或2或3所述的光刻设备，其中，所述细长的液体供给开口是V形的。5.如权利要求1或2或3所述的光刻设备，其中，所述细长的液体供给开口是弯曲的。6.如权利要求1-5中任一项所述的光刻设备，其中，所述液体限制系统还包括液体供给装置，所述液体供给装置布置成供给液体至所述空间并且供给速率等于或大于大约1l/min、等于或大于大约1.25l/min、等于或大于大约1.5l/min、或者等于或大于大约2l/min。7.如权利要求1-6中任一项所述的光刻设备，其中，所述细长的液体供给开口具有小于或等于大约100μm的宽度、小于或等于大约70μm的宽度、小于或等于大约50μm的宽度、小于或等于大约30μm的宽度、或者小于或等于大约20μm的宽度。8.如权利要求1-7中任一项所述的光刻设备，其中，所述液体限制部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·J·M·迪莱克斯，E·H·E·C·埃尤梅伦，C·J·G·范登顿根，M·A·C·斯奇皮尔斯，S·舒勒波夫，P·木尔德，D·毕塞姆斯，M·巴拉古拿，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL