减少等离子体辐射源中的快离子制造技术

本发明专利技术提供一种减少等离子体辐射源中的快离子的方法。本发明专利技术公开一种具有阳极和阴极的辐射源以在阳极和阴极之间的放电空间内产生放电。在辐射源中形成等离子体，这产生例如ＥＵＶ辐射的电磁辐射。辐射源包括第一激活源以将第一能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第一点上，以产生触发放电的主等离子体通道。辐射源还具有第二激活源以将第二能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道。通过在同一的放电期间引导第二能量脉冲，实现主等离子体电流的短接，这又会减小快离子产生的量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻设备和一种用于光刻设备的等离子体辐射源。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情 况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片) 上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯)上。通常，图 案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层 上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图 案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器， 在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案 形成装置将图案转移到衬底上。为了减小器件的临界尺寸，光刻投影设备可以设置有用于EUV辐射 的辐射源。用于EUV辐射的辐射源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射源，包括：　阳极和阴极，构造并配置成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间内的物质中产生放电，以及构造并配置成形成等离子体以便产生电磁辐射；　第一激活源，设置成将第一能量脉冲引导到所述放电空间附近的所述辐射源中的第一点上，以 便产生触发所述放电的主等离子体通道；和　第二激活源，设置成将第二能量脉冲引导到所述放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道，所述第二点是与所述第一点不同的点，并且所述第二激活源设置用以在所述放电期间产生所述第二能量 脉冲。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：VV伊万诺夫，VY班尼恩，KN科什烈夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]