辐射源、光刻设备以及器件制造方法技术

一种辐射源，配置用以产生辐射。辐射源包括第一电极（１１；６１）和第二电极（１２；６２），配置成用以在使用期间产生放电，以由等离子体燃料产生用于发射辐射的等离子体。辐射源还包括：燃料供给装置，配置成将等离子体燃料供给到与所述第一电极（１１；６１）和第二电极（１２；６２）相关的燃料释放区域；和燃料释放装置，配置成引发从所述燃料释放区域的（由所述燃料供给装置供给的）燃料的释放。所述燃料释放区域与所述第一电极（１１；６１）和所述第二电极（１２；６２）间隔分开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种辐射源和方法、一种光刻设备以及用于制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上 而实现的。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。光刻术被广泛地认为是IC和其他器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而， 随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术成为能够制造小型IC或其他器件和/ 或结构的更为重要的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利准则(Rayleigh criterion)给 出，如等式(1)所示 其中λ是所用辐射的波长，NAps是用来印刷图案的投影系统的数值孔径，ki是依 赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，而CD是印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射源，配置用以产生辐射，所述辐射源包括：第一电极（１１；６１）和第二电极（１２；６２），配置成用以在使用期间产生放电（Ｅｄ），以由等离子体燃料产生用于发射辐射的等离子体（ＲＰ）；燃料供给装置（１３；６３），配置成将等离子体燃料供给到与所述第一电极（１１；６１）和第二电极（１２；６２）相关的燃料释放区域；和燃料释放装置（２１），配置成从所述燃料释放区域引发由所述燃料供给装置供给的燃料的释放，所述燃料释放区域与所述第一电极（１１；６１）和所述第二电极（１２；６２）间隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：VY班尼恩，MMJW范赫彭，WA索尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]