光刻设备和用于校正光刻设备的台的位置的方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻设备和一种用于校正光刻设备的台的位置的方法。所述光刻设备包括：用以保持物体的台，所述台在运动范围内相对于参照结构是可移动的；磁体结构，用以在所述运动范围的至少一部分内提供空间变化的磁场，所述磁体结构相对于参照结构和所述台是可移动的；第一位置测量系统，用以提供第一测量信号，所述第一测量信号对应于所述台和/或所述物体在测量方向上相对于参照结构的位置；第二位置测量系统，用以提供第二测量信号，所述第二测量信号对应于台相对于磁体结构的位置；和数据处理器，用依赖于第二测量信号的值校正第一测量信号，以提供表示所述台和/或所述物体相对于参照结构在测量方向上的位置的校正的第一测量信号。

Lithographic apparatus and method for correcting the position of a table of a lithographic apparatus

The present invention discloses a lithographic apparatus and a method for correcting the position of a table of a lithographic apparatus. The lithographic apparatus includes: to keep the object in Taiwan, the Taiwan in the range of motion with respect to the reference structure is movable; magnet structure, in the range of motion in at least a portion of the space to provide a changing magnetic field, the magnetic structure with respect to the reference structure and the table is movable first; position measurement system, to provide a first measurement signal, the first signal corresponding to the table and / or the object in the measurement direction relative to the reference structure position; second position measuring system, provide second signals to the second signals corresponding to the table relative to the magnet structure position; and the data processor, the first measurement value correction signal depends on the second measurements, in order to provide the said Taiwan and / or the object relative to the reference structure in survey direction The position of the correction of the first measured signal.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备和一种用于校正台相对于光刻设备的参照结构的位置的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。通常，光刻设备包括配置用以保持物体，例如衬底或图案形成装置，的台，该台相对于参照结构是可移动的。使用位置测量系统测量台在测量方向上相对于参照结构的位置，使用致动器系统相对于参照结构移动台，以及使用控制系统或控制器基于位置测量系统的输出提供驱动信号给致动器系统，由此完成台的定位。期望在物体的平面内的方向上(S卩，垂直于赋予物体的辐射束的方向)定位台，用于重叠。重叠是层相对于前面已经形成的层进行印刷时的精确度，并且是产量方面的重要因子，即校正地制造的器件的百分比。期望沿离开物体的平面的方向，即沿与赋予物体的辐射束平行的方向定位台，用于聚焦图案例如到衬底上，并且确定衬底上的图案的污损量。已经发现，沿一个或多个方向上的定位精确度会不令人满意，尤其是不满足光刻技术的未来需求。
技术实现思路
本专利技术旨在提供改进的光刻设备，尤其是一种其台具有改进的定位精确度的光刻设备。根据本专利技术的一个实施例，提供一种光刻设备，包括参照结构；用以保持物体的台，所述台在运动范围内相对于参照结构是可移动的；磁体结构，配置用以在所述运动范围的至少一部分内提供空间变化的磁场，所述磁体结构相对于参照结构和所述台是可移动的；第一位置测量系统，配置用以提供第一测量信号，所述第一测量信号对应于所述台和/ 或所述物体在测量方向上相对于参照结构的位置；第二位置测量系统，配置用以提供第二测量信号，所述第二测量信号对应于台相对于磁体结构的位置；和数据处理装置，配置成用依赖于第二测量信号的值校正第一测量信号，以提供表示所述台和/或所述物体相对于参照结构在测量方向上的位置的校正的第一测量信号。根据本专利技术的另一实施例，提供一种用于校正台和/或由台保持的物体相对于参照结构在测量方向上的位置测量值的方法，其中所述台在空间变化的磁场中是可移动的， 所述磁场相对于所述台和所述参照结构又是可移动的，所述方法包括提供第一测量信号， 所述第一测量信号对应于所述台和/或所述物体相对于参照结构在测量方向上的位置；提供第二测量信号，所述第二测量信号对应于所述台相对于磁场的位置；用依赖于第二测量信号的值校正第一测量信号，以提供表示所述台和/或所述物体相对于参照结构在测量方向上的位置的校正的第一测量信号。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1示出了根据本专利技术一个实施例的光刻设备；图2示意地示出根据本专利技术一个实施例的图1中的光刻设备的一部分的示意图；图3示意地示出图1中的光刻设备的第一位置测量系统上的台的变形产生的影响；图4示出根据本专利技术一个实施例的图1中的光刻设备的数据处理装置的方框示意图；图5示意地示出根据本专利技术另一实施例的光刻设备的一部分；图6示出根据本专利技术一个实施例的光刻设备的位置测量系统；和图7示出根据本专利技术一个实施例的图5的光刻设备的数据处理装置的方框示意图。具体实施例方式图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适辐射)；图案形成装置支撑结构掩模台(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。所述设备还包括衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑结构”，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多根管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述图案形成装置支撑结构或掩模以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置 MA。所述图案形成装置支撑结构MT或掩模台可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。图案形成装置支撑结构MT或掩模台可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。图案形成装置支撑结构MT或掩模台可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版” 或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示可以用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统” 同义。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台或“衬底支撑结构”(和/或两个或更多的掩模台或“掩模支撑结构”)的类型。在这种本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻设备，包括：台，配置用以保持物体，所述台在运动范围内相对于参照结构是可移动的；磁体结构，配置用以在所述运动范围的至少一部分内提供空间变化的磁场，所述磁体结构相对于参照结构和所述台是可移动的；第一位置测量系统，配置用以提供第一测量信号，所述第一测量信号对应于所述台、或所述物体、或台和物体两者在测量方向上相对于所述参照结构的位置；第二位置测量系统，配置用以提供第二测量信号，所述第二测量信号对应于所述台相对于所述磁体结构的位置；和数据处理器，配置成用依赖于第二测量信号的值校正第一测量信号，以提供表示所述台、或所述物体、或所述台和所述物体两者相对于参照结构在测量方向上的位置的校正的第一测量信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H·巴特勒，E·J·M·尤森，W·H·G·A·考恩，E·A·F·范德帕斯卡，H·K·范德斯考特，M·W·M·范德维基斯特，M·M·P·A·沃梅尤恩，C·A·L·德霍恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL