光谱纯度滤光片和光刻设备制造技术

一种光谱纯度滤光片（３０）配置成反射极紫外辐射。所述光谱纯度滤光片（３０）包括：基底（３１）；和抗反射涂层（３２），所述抗反射涂层在所述基底（３１）的顶表面上。所述抗反射涂层（３２）配置成透射红外辐射。滤光片还包括多层堆叠体（３３），所述多层堆叠体（３３）配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光谱纯度滤光片和光刻设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上) 的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地 称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以 将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个 管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀 剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备 包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每 一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目 标部分。为了能够将甚至更小的结构投影到衬底上，已经提出使用极紫外(EUV)辐射，该 极紫外辐射是具有在10-20nm的范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm的范围内的 波长。进一步地提出，可以使用小于IOnm波长的EUV辐射，例如在5-lOnm的范围内，例如 6. 7nm 或 6. 8nm。可以通过使用等离子体产生辐射。例如通过引导激光到适合材料(例如锡)的颗 粒上或通过引导激光到适合的气体或蒸汽(例如Xe气体或Li蒸汽)的流上，来产生等离 子体。所获得的等离子体发射输出辐射(例如EUV辐射)，通过使用例如镜面的掠入射收集 器的收集器收集该输出辐射，该收集器接收辐射且将辐射聚焦成束。这样的辐射源通常被 用术语称为激光产生等离子体(LPP)源。日本公开出版物JP2006216783描述了多层膜反射镜，其可以消除对光曝光的需 要，且可以之前吸收激发光，其涉及反射镜的热膨胀。根据这一公开出版物，激发光反射保 护膜形成到石英基底上，且曝光光反射膜形成在其上。长波长的激发光穿过曝光光反射膜， 且到达激发光反射保护膜，在该激发光反射保护膜处，激发光被吸收。JP2006216783描述了两种特定的实施例，用于在特定的(13.5° )倾斜入射角 处减少激光束光的透射。在第一实施例中，采用包括Mo，SiO2和Si的多个层的抗反射膜， 1064nm的激发光的反射率是约24%。第二例子采用HfO2, SiO2和MgF2层的抗反射膜，提供 了 266nm激发光的40%的反射率。
技术实现思路
除了期望的辐射，辐射源还可以输出伴随辐射(secondaryradiation)。例如， 除了期望的EUV辐射之外，EUV等离子体辐射源还可以输出伴随辐射，该伴随辐射具有从 20-400nm的范围选出的波长，最主要的是在深紫外(DUV)范围(100-400nm)内。例如，由于 产生等离子体所使用的激光器的原因，可能在LPP辐射源中产生伴随辐射，激光辐射具有 比EUV辐射长的波长(例如红外辐射，例如来自CO2激光器的10. 6 μ m波长的辐射)。在使用LPP源时，激光辐射自身代表了相当大量的不被期望的辐射，所述不被 期望的辐射通过在等离子体上散射和反射可以被发射到光刻设备中。典型地，使用具有 约10. 6 μ m波长(即红外(IR)辐射)的CO2激光器。因为EUV光刻设备中的光学装置在 10. 6 μ m处具有高反射率，所以红外辐射可以传播进入光刻设备中且具有相当大的光功率。 这一光功率的一部分可能最终被衬底(例如晶片)吸收，其可能引起对衬底的不被期望的 加热。除了红外辐射之外，期望抑制深紫外辐射，这是因为在衬底上的EUV抗蚀剂对于 深紫外波长也是敏感的，其可能引起不期望的对比度损失。在光刻术中，期望改善光谱纯度，即从输出束移除伴随辐射用于产生更高比例的 期望的辐射。因为EUV光刻设备中的光学装置具有高反射率(例如对于来自LPP源的 10. 6 μ m波长的伴随辐射)，所以伴随辐射可以到达衬底且具有相当大的光功率。另外或可 替代地，伴随辐射(尤其是在LPP辐射源中的激光辐射)可能导致对图案形成装置、衬底和 /或光学装置的不被期望的加热。期望制造一种光谱纯度滤光片，该光谱纯度滤光片配置成以低的EUV功率代价过 滤掉至少不期望的红外辐射。因此，期望提供例如一种用在辐射源或光刻设备中的光谱纯度滤光片，其中不期 望的辐射可以被完全地或部分地移除。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光谱纯度滤光片，配置成透射或吸收非EUV 的伴随辐射和反射极紫外(EUV)辐射。根据本专利技术的一个方面，提供了 一种光谱纯度滤光片，配置成反射极紫外辐射。光 谱纯度滤光片可以包括基底；和抗反射涂层(即抗反射结构)，所述抗反射涂层在所述基 底的顶表面上。所述抗反射涂层配置成透射红外辐射。光谱纯度滤光片还包括多层堆叠体。 该多层堆叠体配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。例如，被透射的红外辐射可 以是波长大于约1 μ m、尤其是大于约10 μ m的(例如约10. 6 μ m)的辐射。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻设备。所述设备可以包括照射系统，配 置成调节包括极紫外辐射的辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装 置配置成对包括极紫外辐射的辐射束进行图案化。所述设备还包括投影系统，配置成将图 案化的辐射束投影到衬底上；和光谱纯度滤光片，所述光谱纯度滤光片配置成反射极紫外 辐射。所述光谱纯度滤光片可以位于所述照射系统或所述投影系统中。同理，所述光谱纯 度滤光片可以包括基底；和抗反射涂层，所述抗反射涂层在所述基底的顶表面上。所述抗 反射涂层可以配置成透射红外辐射。所述光谱纯度滤光片还可以包括多层堆叠体，所述多 层堆叠体例如在所述抗反射涂层的顶表面上。所述多层堆叠体可以配置成反射极紫外辐射 和基本上透射红外辐射。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附 图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1示意性地显示根据本专利技术的一个实施例的光刻设备；图2显示根据本专利技术的一个实施例的光刻设备的详细示意图；图3显示根据本专利技术的一个实施例的光谱纯度滤光片；图4是具有Si/Mo多层堆叠体的多层反射镜的反射率的图示；图5是根据本专利技术的一个实施例的多层反射镜的反射率的图示，该多层反射镜具 有Si/DLC (类金刚石碳)的多层堆叠体；图6显示根据本专利技术的一个实施例的光谱纯度滤光片；图7显示根据本专利技术的一个实施例的光谱纯度滤光片；图8是根据本专利技术的一个实施例的多层反射镜的反射率的图示；和图9是根据本专利技术的一个实施例的多层反射镜的反射率的图示。具体实施例方式图1示意性地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述设备包括照射系 统(照射器)IL，配置用于调节辐射中的辐射束B。所述设备还包括支撑结构(例如掩模台) MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位 图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例 如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置 PW相连；和投影系统(例如折射式或反射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于 将由图案形成装置MA赋予辐本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光谱纯度滤光片，所述光谱纯度滤光片配置成反射极紫外辐射，所述光谱纯度滤光片包括：基底；抗反射涂层，所述抗反射涂层在所述基底的顶表面上，所述抗反射涂层配置成透射红外辐射；和多层堆叠体，配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·M·J·W·范赫彭，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL