辐射源和光刻设备制造技术

一种辐射源（ＳＯ）配置成生成极紫外辐射。所述辐射源（ＳＯ）包括等离子体形成部位（２），所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束（５）接触而形成等离子体所在的位置；出口（１６），所述出口配置成允许气体出离辐射源（ＳＯ）；和污染物阱（２３），所述污染物阱至少部分地位于所述出口（１６）内部。所述污染物阱（２３）配置成俘获由生成等离子体所产生的碎片粒子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于生成极紫外辐射的辐射源以及一种光刻设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在所述情形中，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目 标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图 案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。通过用于分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估计权利要求1.一种辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括等离子体形成部位，所述等离子体形成部位在燃料将通过与辐射束接触而形成等离子 体所在的位置处；出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和污染物阱，所述污染物阱至少部分地位于所述出口内部，所述污染物阱配置成俘获由 形成等离子体所产生的碎片粒子。2.根据权利要求1所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括由多个翼片形成的翼片阱， 所述翼片构造和布置成俘获所述碎片粒子。3.根据权利要求1所述的辐射源，其中，所述出口包括管。4.根据权利要求2所述的辐射源，其中，所述多个翼片中的至少一些由所述出口支撑。5.根据权利要求1所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括多个带锥度的阻挡件，所述 带锥度的阻挡件构造和布置成俘获所述碎片粒子。6.根据权利要求1所述的辐射源，还包括加热器，所述加热器构造和布置成将所述污 染物阱加热至足以熔化由所述污染物阱所俘获的碎片的温度，或者将其加热至足以使由所 述污染物阱所俘获的碎片蒸发的温度。7.根据权利要求6所述的辐射源，其中，所述加热器是感应加热器。8.根据权利要求7所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括由多个翼片形成的翼片阱， 所述翼片构造和布置成俘获所述碎片粒子，其中所述感应加热器构造和布置成加热所述翼 片。9.根据权利要求2所述的辐射源，其中，每个翼片的至少一部分具有到达所述等离子 体形成部位的无阻碍的视线。10.根据权利要求9所述的辐射源，其中，每个翼片相对于从所述等离子体形成部位沿 径向延伸的轨迹成小于45度的角度。11.根据权利要求2所述的辐射源，其中，每个翼片的至少一部分指向所述等离子体形 成部位，或指向所述等离子体形成部位附近的位置。12.根据权利要求2所述的辐射源，其中，所述翼片具有复合形状。13.一种辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离 子体所在的位置；出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和污染物阱，所述污染物阱设置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成减少从所述源的 所述壁散射或溅射到所述源的收集器上的碎片粒子的量。14.根据权利要求13所述的辐射源，其中，所述污染物阱设置在由所述收集器形成的 EUV辐射锥的外边界的外部。15.根据权利要求13所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括由多个翼片形成的翼片 阱，所述翼片构造和布置成俘获由在所述等离子体形成部位生成等离子体所产生的碎片粒 子。16.根据权利要求13所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括多个带锥度的阻挡件，所 述带锥度的阻挡件构造和布置成俘获由在所述等离子体形成部位生成等离子体所产生的碎片粒子。17.根据权利要求13所述的辐射源，还包括加热器，所述加热器构造和布置成将所述 污染物阱加热至足以熔化由所述污染物阱所俘获的碎片的温度，或者将其加热至足以使由 所述污染物阱所俘获的碎片蒸发的温度。18.根据权利要求17所述的辐射源，其中，所述加热器是感应加热器。19.根据权利要求18所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括由多个翼片形成的翼片 阱，所述翼片构造和布置成俘获由在所述等离子体形成部位生成等离子体所产生的碎片粒 子，其中所述感应加热器构造和布置成加热所述翼片。20.根据权利要求15所述的辐射源，其中，每个翼片的至少一部分具有到达所述等离 子体形成部位的无阻碍的视线。21.根据权利要求20所述的辐射源，其中，每个翼片相对于从所述等离子体形成部位 沿径向延伸的轨迹成小于45度的角度。22.根据权利要求15所述的辐射源，其中，每个翼片的至少一部分指向所述等离子体 形成部位，或指向所述等离子体形成部位附近的位置。23.根据权利要求15所述的辐射源，其中，所述翼片具有复合形状。24.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求1所述的辐射源。25.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求13所述的辐射源。26.一种光刻设备，所述光刻设备包括辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括 等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离 子体所在的位置，出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源，和污染物阱，所述污染物阱至少部分地位于所述出口内部，所述污染物阱配置成俘获伴 随等离子体形成所生成的碎片粒子；支撑件，所述支撑件构造和布置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将所 述极紫外辐射进行图案化；和投影系统，所述投影系统构造和布置成将经过图案化的辐射投影到衬底上。27.一种光刻设备，所述光刻设备包括辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括 等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离 子体所在的位置，出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源，和污染物阱，所述污染物阱设置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成减少从所述源的 所述壁散射或溅射到所述源的收集器上的碎片粒子的量；支撑件，所述支撑件构造和布置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将所 述极紫外辐射进行图案化；和投影系统，所述投影系统构造和布置成将经过图案化的辐射投影到衬底上。全文摘要一种辐射源(SO)配置成生成极紫外辐射。所述辐射源(SO)包括等离子体形成部位(2)，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束(5)接触而形成等离子体所在的位置；出口(16)，所述出口配置成允许气体出离辐射源(SO)；和污染物阱(23)，所述污染物阱至少部分地位于所述出口(16)内部。所述污染物阱(23)配置成俘获由生成等离子体所产生的碎片粒子。文档编号G03F7/20GK102144191SQ200980134710 公开日2011年8月3日 申请日期2009年7月21日 优先权日2008年9月11日专利技术者A·亚库宁, D·兰贝特斯基, E·鲁普斯特拉, G·斯温克尔斯, V·伊万诺夫, V·克里夫特苏恩, V·班尼恩 申请人:Asml荷兰有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括：等离子体形成部位，所述等离子体形成部位在燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体所在的位置处；出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和污染物阱，所述污染物阱至少部分地位于所述出口内部，所述污染物阱配置成俘获由形成等离子体所产生的碎片粒子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·亚库宁，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL