光刻设备、投影系统和器件制造方法技术方案

本发明专利技术公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备、一种投影系统以及一种器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。在已知的光刻系统中，投影系统包括其中投影图案化的辐射束的真空室。这样，投影束穿过真空室的至少一个区域。在真空室中，具有颗粒的污染物，例如源自衬底结构的碳羟基(carbon hydroxyl)颗粒，可能损伤光学元件，例如反射镜。此外，污染物颗粒可能影响投影束的光学透射率。具体地，极紫外(EUV)光刻系统可能会遭受这种气体污染。在美国专利申请出版物第US6714279号中，真空室设置有惰性气体源。通过在真空室中供给惰性气体可以抑制光学部件的污染。
技术实现思路
期望例如实现一种光刻设备，其中能够进一步地抑制在真空室内产生污染物颗粒。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括配置成调节辐射束的照射系统； 构造成支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；构造成保持衬底的衬底台，配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上的投影系统；真空室，在使用期间所述图案化的辐射束被投影通过真空室；和净化系统，配置成在所述室内提供净化气体流。根据本专利技术的一方面，提供一种投影系统，配置成在光刻设备中将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述投影系统包括真空室，其中在使用期间所述图案化的辐射束被投影，并且其中所述投影系统还包括净化系统，所述净化系统配置成在所述室内提供净化气体流。根据本专利技术的一方面，还提供一种器件制造方法，包括将图案化的辐射束投影到衬底上，其中在真空室中应用净化气体流，所述图案化辐射束被投影通过所述真空室。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1示出了根据本专利技术实施例的光刻设备；图2示出光刻设备的示意图；图3示出根据本专利技术实施例的光刻设备的示意图；图4示出施加在颗粒上的拖曳力和重力的图；图5示出沿表面行进的污染物颗粒的示意图。具体实施例方式图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或可见光辐射)；-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W， 并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意， 被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台和/或支撑结构， 或可以在一个或更多个台和/或支撑结构上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台和/或支撑结构用于曝光。所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体覆盖(例如水)，以便填满投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备的其他空间中，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术在本领域是熟知的用于提高投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底) 浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和该衬底之间。参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·J·G·范德维基沃尔，J·H·J·莫尔斯，W·J·M·沃斯蒂格，P·G·约克斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：