包括液滴加速器的EUV辐射源以及光刻设备制造技术

一种EUV辐射源，包括：燃料源，配置用于将燃料供给至等离子体形成位置。所述燃料源包括：喷嘴，配置用于喷射燃料液滴；以及液滴加速器，配置用于加速燃料液滴。EUV辐射源包括激光辐射源，配置用于在等离子体形成位置处照射通过所述燃料源供给的燃料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种EUV福射源和一种光刻设 备。
技术介绍
光刻设备是ー种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、ー个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单个衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(I)所示CD = Iil(I)其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径A1是依赖于エ艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.01.07 US 61/293,1431.ー种EUV辐射源，包括 燃料源，配置用于将燃料供给至等离子体形成位置，所述燃料源包括 喷嘴，配置用于喷射燃料液滴；以及 液滴加速器，配置用于加速燃料液滴；以及 激光辐射源，配置用于在等离子体形成位置处照射通过所述燃料源供给的燃料。2.根据权利要求I所述的EUV辐射源，其中，所述液滴加速器包括管，所述管配置用于接收气体以流过所述管并且加速所述燃料液滴。3.根据权利要求2所述的EUV辐射源，其中，所述管具有大致恒定的横截面。4.根据权利要求2所述的EUV辐射源，其中，所述管是离开喷嘴而逐渐变细的锥形管。5.根据权利要求3或4所述的EUV辐射源，其中，在所述管中设置ー个或更多个开ロ，所述开ロ配置用于引入气体以流过所述管并且加速燃料液滴。6.根据权利要求4所述的EUV辐射源，其中，所述管被配置用于在所述管邻近喷嘴的末端处接收气体。7.根据权利要求2-6中任一项所述的EUV辐射源，其中，所述管设置有配置用于加热所述管的一个或...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·麦斯特姆，E·鲁普斯特拉，G·斯温克尔斯，E·布耳曼，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：