辐射源制造技术

本发明专利技术公开了一种辐射源，包括贮存器、喷嘴、激光器以及正透镜。贮存器配置成保持一体积的燃料。喷嘴与贮存器流体连接并配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流。激光器配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体。正透镜布置配置成朝向等离子体形成位置聚焦燃料流的轨迹的至少潜在的展度范围，透镜包括电场生成元件和/或磁场生成元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及辐射源，所述辐射源适合于结合光刻设备使用或形成光刻设备的一部分。另外，本专利技术更主要涉及流体流生成器。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图 案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示CD = L *—(I) 1 NA其中\是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现通过缩短曝光波长\、通过增大数值孔径NA或通过减小Ic1的值。为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。还已经提出可以使用波长小于IOnm的EUV辐射，例如波长在5-lOnm范围内，例如6. 7nm或6. 8nm的波长。这样的辐射被用术语极紫外辐射或软X-射线辐射表示。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。等离子体可以例如通过将激光束引导至燃料来产生，燃料例如可以是合适的燃料材料(例如锡，其当前被认为是最受期望的材料，且因此是EUV辐射源的燃料的可能选择的方案)的颗粒(即，液滴)，或合适的气体或蒸汽的流，例如氙气或锂蒸汽。所形成的等离子体辐射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，所述包围结构或腔布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。在可替代的系统(其还可以采用使用激光)中，可以通过使用放电形成的等离子体——放电产生等离子体(DPP)源来产生辐射。所提出的LPP辐射源产生连续的燃料液滴流。辐射源包括用于朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的喷嘴。液滴需要被以高的精度引导至等离子体形成位置，用于确保激光束可以被朝向液滴引导且与液滴接触。为了实现其，燃料应当穿过喷嘴，而不遇到任何不被预期或不是有意安排的障碍或限制。这样的障碍或限制可能由沉积到喷嘴的内表面上的燃料中的污染物造成。污染物可能导致被喷嘴引导的液滴流不具有一种或更多种所需要的性质，例如期望的轨迹。辐射源的动力学(例如热漂移)还可能造成不具有期望的轨迹的液滴流。结果，这可能导致辐射源作为整体不像预期的那样发挥作用，例如，不能产生辐射，或者不能产生所需强度的辐射或产生辐射持续所需的持续时间。虽然已经关于LPP辐射源描述了所述问题，但是可能其他流体(例如液体)流生成器(液滴或连续)遇到同样的问题或类似的问题，例如用在喷墨和/或(熔融的)金属印刷或类似物中的喷嘴。另外，所述问题不一定限于包括液滴的流，这是因为在将产生连续的流时将可能会遇到同样的或类似的问题。
技术实现思路
期望减轻现有技术中的至少一个问题，不论是否在此处提及的或在其它地方提及的，或提供一种对现有的设备或方法的替代方案。根据本专利技术的第一方面，提供了一种辐射源，包括贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接并配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体；和正透镜布置，配置成朝向等离子体形成位置聚焦燃料流的轨迹的至少潜在的展度范围，所述透镜包括电场生成元件和/或磁场生成元件。透镜布置可以配置成确保喷嘴的位置或方向变化被在等离子体形成位置的预期位置处或相对于等离子体形成位置的预期位置以小于或等于I的倍数放大。这确保了透镜布置不会放大喷嘴的位置或方向变化，由此不会放大由此引起的任何问题或缺点。所述透镜布置还可以配置成用作下述配置中的一个或更多个、或至少形成下述配置中的一个或更多个的一部分用于从喷嘴抽取燃料(例如成液滴的形式)的抽取配置；和/或用于加速构成燃料流的燃料的加速配置；用于减速构成燃料流的燃料的减速配置；和/或用于给构成或将构成燃料流的燃料充电的充电配置。所述透镜布置可以在所述一个或更多的配置之间切换(例如以电方式切换)。所述透镜布置可以通过在下述部件之间施加适合的电势差进行切换透镜布置的一个或更多的部件；和/或透镜布置和喷嘴的一个或更多的部件；和/或透镜布置和充电布置中的一个或更多的部件。控制器可以布置成在燃料流的一部分从喷嘴通至等离子体形成位置时执行所述配置中的一个或更多个配置之间的切换。这意味着所述透镜布置可以选择性地配置成在一时间段中相对于同一部分执行不同的功能。所述透镜布置的位置和/或方向可以是能够控制的，用于控制聚焦点的位置。这可以通过透镜布置或其的一个或更多的部件的物理移动、和/或通过控制透镜布置所使用的电场和/或磁场的幅值、形状或总体配置的控制来实现。一个或更多的另外的正透镜布置可以被沿着(例如在已有的透镜的上游或下游)轨迹的潜在展度范围(和至少部分地围绕其延伸)提供或设置。所述透镜布置可以是静电透镜布置、和/或静磁透镜布置、和/或单透镜(Einzellens)。所述辐射源还可以进一步包括用于给构成燃料流或将构成燃料流的充电燃料的充电配置。该充电配置可以与燃料、贮存器、喷嘴或任何一个或更多的其他部件中的一个或更多个电连接，其允许或便于在从喷嘴喷射燃料之前或之后充电燃料。所述燃料流将最可能包括燃料液滴的流。所述燃料可以是熔融的金属或包括熔融的金属。根据本专利技术的第二方面，提供了一种流体流生成器，包括贮存器，配置成保持一体积的流体；喷嘴，与贮存器流体连接并配置成沿着朝向目标位置(例如衬底、物体、片等)的轨迹引导流体流；和正透镜布置，配置成朝向目标位置将流体流的轨迹的至少潜在的展度范围聚焦，所述透镜包括电场生成元件和/或磁场生成元件。根据本专利技术的第三方面，提供了一种光刻设备，包括照射系统，用于提供辐射束；图案形成装置，用于在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束；衬底保持装置，用于保持衬底；投影系统，用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述光刻设备还包括根据本专利技术的第一和/或第二方面的辐射源或流体流生成器，或与根据本专利技术的第一和/或第二方面的辐射源或流体流生成器相连接。根据本专利技术的第四方面，提供了一种使燃料流生成器中的燃料的带电的流的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射源，包括：贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接并配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体；和正透镜布置，配置成朝向等离子体形成位置将燃料流的轨迹的至少潜在的展度范围聚焦，所述透镜包括电场生成元件和/或磁场生成元件。

【技术特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,7651.一种福射源，包括 贮存器，配置成保持一体积的燃料； 喷嘴，与贮存器流体连接并配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体；和 正透镜布置，配置成朝向等离子体形成位置将燃料流的轨迹的至少潜在的展度范围聚焦，所述透镜包括电场生成元件和/或磁场生成元件。2.根据权利要求1所述的辐射源，其中透镜布置配置成确保喷嘴的位置或方向变化被在等离子体形成位置的预期位置处或相对于等离子体形成位置的预期位置以小于或等于I的倍数放大。3.根据权利要求1或2所述的辐射源，其中所述透镜布置还配置成用作下述配置中的一个或更多个、或至少形成下述配置中的一个或更多个的一部分 用于从喷嘴抽取燃料的抽取配置； 用于将构成燃料流的燃料加速的加速配置； 用于将构成燃料流的燃料减速的减速配置；和 用于给构成或将构成燃料流的燃料充电的充电配置。4.根据权利要求3所述的辐射源，其中所述透镜布置能够在所述一个或更多的配置之间切换。5.根据权利要求4所述的辐射源，其中所述透镜布置能够通过在下述部件之间施加适合的电势差来进行切换 透镜布置的一个或更多的部件； 透镜布置和喷嘴的一个或更多的部件；和/或 透镜布置和充电布置中的一个或更多的部件。6.根据权利要求4或5所述的辐射源，其中控制器布置成在燃料流的一部分从喷嘴行至等离子体形成位置时执行在所述配置中...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·G·希梅尔，J·F·迪克斯曼，D·兰贝特斯基，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：