光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法技术

本发明专利技术公开了光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法。所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台具有：支撑部分，用于支撑衬底；以及调节系统，用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，其中所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及使用光刻设备制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯) 上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描” 方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式将图案从图案形成装置转移到衬底上。已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水) 中，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体是蒸馏水，但是可以使用其他液体。本专利技术的实施例将参考液体进行描述。然而，其它流体也可能是适合的，尤其是润湿性流体、不能压缩的流体和/或具有比空气高的折射率的流体，期望地，其为具有比水高的折射率的流体。除气体之外的流体尤其是希望的。这样的想法是为了实现更小特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的影响也可以被看成增大了系统的有效数值孔径(NA)，并且也增加焦深)。还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮物(例如具有最大尺寸达IOnm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃(诸如芳香烃、氟化烃)和/或水溶液。将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利US4，509，852)意味着在扫描曝光过程中必须加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。在浸没设备中，浸没流体由流体处理系统、器件结构或设备来处理。在一实施例中，流体处理系统可以供给浸没流体，因此是流体供给系统。在一实施例中，流体处理系统可以至少部分地限定浸没流体，因而是流体限制系统。在一实施例中，流体处理系统可以提供针对浸没流体的阻挡，因而是阻挡构件，诸如流体限制结构。在一实施例中，流体处理系统可以产生或者使用气流，例如帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成密封以限制浸没流体，使得流体处理结构可以被称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。在一实施例中，浸没液体用作浸没流体。在那种情况下，流体处理系统可以是液体处理系统。参考以上描述，在该段落中针对相对于流体限定的特征的参考可以理解为包括相对于液体限定的特征。
技术实现思路
在光刻设备中使用浸没流体可能引入特定的困难。例如，使用浸没流体可能导致光刻设备内部的附加的热负载，这可能会影响在衬底上形成图像的精确度。在一些情况中，热负载在整个衬底上可能是不均匀的，导致图像的非均匀的变化。 作为示例，热负载可能由流体处理系统的操作和/或浸没流体的蒸发引起。这些影响可能会局部化到衬底的一部分。结果，在衬底中可能有局部的温度变化，导致衬底的局部的热膨胀或收缩。这又可能导致重叠误差和/或临界尺寸(CD)的局部变化。例如，希望提供一种系统，其中能够减小局部热负载的影响。根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域被配置成使得它与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50%到大约350%的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在I至大约2之间的长宽比。根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；多个温度传感器，被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度；以及控制器，被配置用于基于来自温度传感器的测量数据来控制所述调节系统。根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；其中每个调节单元包括在相应的调节区域内的通道，所述通道被配置用于传送调节流体。根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于在凹陷内支撑衬底，所述支撑台包括支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；第一调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述第一调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及第二调节系统，被配置用于将热能供给至支撑台的与凹陷的边缘同衬底的边缘之间的间隙相邻的区域和/或从支撑台的与凹陷的边缘同衬底的边缘之间的间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与间隙的相应的区段相邻的相应区域和/或从支撑台的与间隙的相应的区段相邻的相应区域去除热能。根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于在凹陷内支撑衬底，所述支撑台包括支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及抽取系统，被配置用于从凹陷的边缘与衬底的边缘之间的间隙抽取浸没液体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从间隙的相应的区段抽取浸没液体。根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面，所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域被配置成使得它与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50％到大约350％的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在1至大约2之间的长宽比。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·G·C·昆尼，J·H·W·雅各布斯，C·C·W·沃斯帕盖特，R·范德哈姆，I·A·J·托马斯，M·霍本，T·S·M·劳伦特，G·M·M·考克兰，R·H·M·J·布洛克斯，G·彼得斯，P·L·J·岗特尔，M·J·里米，S·C·R·德尔克斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：