本发明公开了一种刻蚀沟槽多晶硅栅的方法，包括以下步骤：第一步，在硅衬底正面上方的外延层刻蚀沟槽，生长栅氧化层，然后淀积多晶硅；第二步，采用各向同性干法刻蚀多晶硅，刻蚀过程中垂直向下的刻蚀速率与水平方向的刻蚀速率相同或者接近；第三步，采用...

本发明公开了一种提高PowerMOS器件UIS性能的方法，包括：在现有功率MOS器件的制备工艺基础上，通过两次源极注入，形成N+N-源极，将MOS寄生N+PN管改为N+N-PN管。本发明通过在原有功率MOS器件的工艺基础上，不增加额外的...

本发明公开了一种成长无缝填充非晶硅沟槽的方法，该方法通过炉管LPCVD成膜外加后续高温炉管热处理，以形成现成无缝填充非晶硅沟槽。本发明能有效避免后续回刻工艺打开缝隙，将残胶，残液带入缝隙的风险，同时提升器件性能和可靠性。

本发明公开了一种用选择性外延制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，形成光刻胶图形；第四步，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外...

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其采用化学气相沉积法填充衬底外延层中的沟槽。执行第一填充步骤，使用至少包括硅源和卤化物的混合气体填充所述沟槽，以形成半导体层，至少在所述沟槽填充的最后一个填充步骤中使用硅源气体而不使用卤化物气体填充...

本发明公开了一种嵌位电压产生电路，包括：运算放大器A1，其反相输入端连接参考电压，其正相输入端通过电阻R1内部接地，其输出端连接PMOS管P1和PMOS管P2的栅极；电源电压VDD，连接PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3的源...

本发明公开了一种整合有闪存和EEPROM的存储器，闪存存储阵列和EEPROM存储阵列形成于同一存储器模块内，EEPROM存储阵列位于闪存存储阵列的旁侧，闪存存储阵列和EEPROM存储阵列共用周边电路。闪存存储阵列和EEPROM存储阵列的...

本发明公开了一种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法，包括以下步骤：第一步，采用截面为矩形环状发射极多晶硅，通过矩形环状发射极多晶硅的屏蔽，形成锗硅多晶硅的连接电阻；使矩形环状发射极多晶硅的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，...

本发明公开了一种简化存储器后仿网表来实现大容量存储器仿真的方法，包括：1)制定关键路径，生成关键路径的网表；2)在Memory?gds上对全局连线进行标注，并从中抽取含全局连线寄生信息的网表；3)利用含全局连线寄生信息的网表，对关键路径...

本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法，包括如下步骤：1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片；2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺；3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘；4)光刻胶的旋涂和烘烤；5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚...

本发明公开了一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，包括以下步骤：第一步，形成第一层光刻胶；第二步，形成第二层光刻胶；第三步，对芯片进行曝光；第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。本发明通过两次涂胶，分别控制两次涂胶过程中芯片边缘曝光区域的大小...

本发明公开了一种应用于方孔图形的光学临近修正方法，在方孔图形的长方向上的外侧添加一些辅助的细条型开槽，增加所述方孔图形的一维图形特征，以提高方孔图形的图形分辨率和工艺窗口。使用本发明的方法之后，可以在不影响一维线条图形的分辨率和工艺窗口...

本发明公开了一种相对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法，包括步骤：1)将所述线端分成多段；2)沿垂直于所述线端的方向，调整每一小段的位置，使所述线端偏离相对位置。本发明通过将相对或者接近相对的线端分成多段，然后在基于模型的0PC修正...

本发明公开了一种测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法，包括步骤：1)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满；2)根据步骤1)测得的电阻值，分别计算各外延层的电阻值和电阻率。本发...

本发明公开了一种用LDMOS器件实现的电流采样电路，电流采样用的第一LDMOS器件和电流对比用的第二LDMOS器件的P型阱都用N型注入区包围，第一LDMOS器件的源区用栅极围绕并置于整个电流采样电路的中间；第一LDMOS器件的漏区和第二...

本发明公开了一种电压检测电路，能用于检测较低的第一电压电源和较高的第二电压电源，高低电压电源的检测电路共用同一电阻检测电路，电阻检测电路分出的第一电压检测端和一电压保护电路连接后再接到后续的第一比较器。电压保护电路包括一高电压的第一NM...

本发明公开了一种改善灯加热腔体内温度均匀性的方法，包括步骤：1)对腔体校温，获得贵晶圆表面温度分布图形；2)制定透光挡板；3)制定与所述温度分布图形形状相反的模板；4)将所述模板覆盖到透光挡板上，涂上涂层；5)将带涂层的透光挡板放到腔体...

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区的各处的薄层宽度比都相同；至少部分的终端保护结构的薄层宽度比小于电流流动区的薄层宽度比；电流流动区的各处的所述杂质总量比都相同，至少部分的终端保护结构的杂质总量比小于电流流动区的所述杂质总量比；至少...

本发明公开了一种带空气间隙结构的半导体功率器件，该半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。本发明还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本发明通过在半导体功率器件宽深的电子漂移(扩散)区，制作空气间隙，减少了电子漂移区的通道面积，从...

本发明公开了一种改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，包括步骤：1)涂布光刻胶，图形曝光，定义硅通孔的尺寸大小；2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀，在步骤2)的聚合物表面打开缺口；4)在深沟槽侧壁和底部淀积一层聚合物；5)利用高能量等离子体，...