相对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法技术

本发明专利技术公开了一种相对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法，包括步骤：1)将所述线端分成多段；2)沿垂直于所述线端的方向，调整每一小段的位置，使所述线端偏离相对位置。本发明专利技术通过将相对或者接近相对的线端分成多段，然后在基于模型的0PC修正中，对线端修正片段的位置进行调整，即对线端进行拐弯处理，从而避开了线端相对方向的MRC的限定，减小了线端缩短的长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及相对或接近相对的线端的光学临近效应修正(OPC)方法。
技术介绍
半导体集成电路设计过程中，为了方便布线，都会优先选择直线，其中会有很多相对或者比较接近相对的线端(指线端与线端之间，在X、Y方向的距离大于等于设计规则处的最小间隙，且在X方向的距离小于1.5倍的最小间隙，如图1所示)。但是，由于光学临近效应(OPE, optical proximity effect)的存在，线端会产生很大的偏移，一般称为线端缩短(line-endshortening)。考虑到光刻版制作后的 MEEF(mask error enhancementfactor，掩膜误差增强因子)效应，OPC在修正两个相对或者接近相对的线端的时候，只能将线端的长度进行一定程度的修正。例如，图2中，两个线端之间间隙的设计值为140纳米，考虑了 MEEF因素后，MRC(Mask Rule Checking，掩膜规则检查)设定光刻版上两个线端之间的间隙的值必须大于等于116纳米，线端在经过OPC修正之后，用软件模拟从光刻版图到晶圆的图形转移，得到两个线端间隙的模拟值为218纳米，从而导致了线端不能达到预想的长度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以避开线端相对方向的MRC的限定，减小线端缩短的长度。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括步骤:I)将所述线端分成多段；2)沿垂直于所述线端的方向，调整每一小段的位置，使所述线端偏离相对位置。所述线端偏离的方向与MRC限制的方向垂直。每一小段在垂直于线端方向的移动量小于等于线宽的25*%。在调整每一小段的位置的同时，还可以对每一小段的宽度进行调整。每一小段的宽度可以大于、等于或者小于原线端的宽度。本专利技术通过将相对或者接近相对的线端分成多段，然后在基于模型的光学临近效应修正(Model Based 0PC)中，对线端修正片段的目标值进行调整，即对线端进行拐弯处理，从而避开了线端相对方向的MRC的限定，减小了线端缩短的长度。附图说明图1是两个接近相对的线端的示意图，线端之间X方向的距离必须大于等于最小设计规则中的最小间隙，且小于1.5倍的最小间隙。图2是传统的线端OPC修正方法示意图；其中，⑴为设计图形，⑵为OPC修正后的光刻版图形，(3)为软件模拟图形。图3是本实施例的线端OPC修正方法示意图；其中，(I)为设计图形，(2)为OPC修正后的光刻版图形(3)为软件模拟图形。具体实施例方式为对本专利技术的
技术实现思路
、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下:如图3(1)所示，两个相对的线端之间的间隙的设计值为140纳米，线端宽度的设计值也是140纳米，将这两个线端分别分成2个修正片段，然后，将片段I沿垂直于线端的方向移动15纳米，片段2相对于修正片段I再沿垂直于线端的方向移动15纳米；同样的，将片段I’沿垂直于线端的方向移动15纳米，片段2’相对于片段I’再沿垂直于线端的方向移动15纳米；两个线端的修正片段的位置移动方向相反。上述设计图形经OPC修正后，得到如图3(2)所示的光刻版图形。MRC设定光刻版上这两个线端之间的间隙的值必须大于等于116纳米。用EDA 软件(例如,Mentor Graphics 的 calibre workbench 软件，或其他 EDA 公司的OPC Simulation软件)模拟从光刻版图形到晶圆的图形转移，得到如图3 (3)所示的模拟图形，两个线端间隙的模拟值为192纳米。可见，相比于传统的修正方法(图2)，本实施例的修正方法在保持原来的MRC不变的情况下，很大程度上改善了线端缩短的程度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
相对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法，其特征在于，包括步骤：1)将所述线端分成多段；2)沿垂直于所述线端的方向，调整每一小段的位置，使所述线端偏离相对位置。

【技术特征摘要】
1.对或接近相对的线端的光学临近效应修正方法，其特征在于，包括步骤: 1)将所述线端分成多段； 2)沿垂直于所述线端的方向，调整每一小段的位置，使所述线端偏离相对位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，线...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：