一种基于基本模块的掩模主体图形优化方法技术

本发明专利技术提供一种基于基本模块的掩模主体图形优化方法，本方法将掩模主体图形构造为若干单边尺寸大于阈值的基本模块的叠加，即掩模主体图形可表示为基本模块与表示基本模块位置的系数矩阵的卷积；将优化目标函数F构造为目标图形与当前掩模主体图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方。之后本方法基于Abbe矢量成像模型，采用改进的共轭梯度法对掩模主体图形进行优化。本方法可以在掩模优化过程中，自动保证优化后掩模主体图形任意部分的单边尺寸大于预定阈值。另外本发明专利技术仅对掩模主体图形进行优化，而不引入任何辅助图形，不会产生与主体图形距离过近的辅助图形。因此本方法可以在提高光刻系统成像质量的前提下，有效提高优化后掩模的可制造性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于基本模块的掩模主体图形的优化方法，属于光刻分辨率增强

技术介绍
当前的大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为照明系统(包括光源和聚光镜)、掩模、投影系统及晶片四部·分，其中掩模图形由掩模主体图形(main feature,简称 MF)和掩模辅助图形(sub-resolution assist feature,简称 SRAF)两部分组成。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩模，掩模的开口部分透光；经过掩模后，光线经由投影系统入射至涂有光刻胶的晶片上，这样掩模图形就复制在晶片上。目前主流的光刻系统是193nm的ArF深紫外光刻系统，随着光刻技术节点进入45nm-22nm,电路的关键尺寸已经远远小于光源的波长。因此光的干涉和衍射现象更加显著，导致光刻成像产生扭曲和模糊。为此光刻系统必须采用分辨率增强技术，用以提高成像质量。基于像素的光学邻近效应校正(pixel-based optical proximity correction,简称PBOPC)是一种重要的光刻分辨率增强技术。I3BOPC首先对掩模进行栅格化，然后对每一个像素的透光率进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于基本模块的掩模主体图形优化方法，具体步骤为：步骤101、初始化大小为N×N的目标图形将目标函数F构造为目标图形与当前掩模主体图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方，即其中为目标图形的像素值，Z(m，n)表示利用Abbe矢量成像模型计算当前掩模主体图形对应的光刻胶中成像的像素值；步骤102、将N×N的连续系数矩阵Θ初始化为：其中表示基本模块，其像素值为0或1，其图形可以为任意单边尺寸大于阈值εM的多边形，Θ(m，n)、W(m，n)和分别为Θ、W和的像素值，符号表示卷积；计算目标函数F相对于Θ的梯度矩阵并将N×N的优化方向矩阵P初始化为：步骤103、采用共轭梯度法对系数矩阵Θ的像素值进...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马旭，李艳秋，宋之洋，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：