一种基于基本模块的掩模辅助图形优化方法技术

本发明专利技术提供一种基于基本模块的掩模辅助图形优化方法，在给定目标图形和掩模主体图形的前提下，本方法将掩模辅助图形构造为若干单边尺寸大于阈值的基本模块与表示基本模块位置的系数矩阵的卷积，将整体掩模图形构造为掩模主体图形与辅助图形的叠加；将优化目标函数F构造为目标图形与当前整体掩模图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方。之后本方法基于Abbe矢量成像模型，采用共轭梯度法对掩模辅助图形进行优化，并在优化结束后对辅助图形中的“无法制造的边缘凸起”进行修正。本方法可以在提高光刻系统成像质量和图形保真度的同时，有效提高优化后掩模的可制造性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于基本模块的掩模辅助图形的优化方法，属于光刻分辨率增强

技术介绍
当前的大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为照明系统(包括光源和聚光镜)、掩模、投影系统及晶片四部分，其中掩模图形由掩模主体图形(main feature,简称 MF)和掩模辅助图形(sub-resolution assistfeature,简称 SRAF)两部分组成。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩模，掩模的开口部分透光；经过掩模后，光线经由投影系统入射至涂有光刻胶的晶片上，这样掩模图形就复制在晶片上。目前主流的光刻系统是193nm的ArF深度紫外光刻系统，随着光刻进入45nm及 45nm以下技术节点，光的干涉和衍射现象更加显著，导致光刻成像产生扭曲和模糊。为此光刻系统必须采用分辨率增强技术，用以提高成像质量和图形保真度。基于像素的光学邻近效应校正(pixel-based optical proximitiy correction,简称 PB0PC)是一种重要的光刻分辨率增强技术。PBOPC首先对掩模进行栅格化，然后对每一个像素的透光率进行优化，从而达到提高光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于基本模块的掩模辅助图形优化方法，其特征在于，具体步骤为：步骤101、将目标图形初始化为N×N的矩阵将掩模主体图形初始化为N×N的矩阵MM，并初始化阈值εS、εD、εH和εL，并令循环次数k＝0；步骤102、将对应于掩模辅助图形的N×N的连续系数矩阵Θ0初始化为：m,n＝1,2,...N，其中εseed≥εD+εS/2。步骤103、计算N×N的掩模辅助图形M，即：其中表示基本模块，其像素值为0或1，其图形可以为任意单边尺寸大于阈值εM的多边形，符号表示卷积运算；步骤104、将掩模图形构造为掩模主体图形与掩模辅助图形的叠加，将目标函数F构造为目标图形与当前掩模图形对应的光刻胶中成像之间的欧...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马旭，李艳秋，宋之洋，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：