光学临近效应修正工艺模型的建模方法技术

本发明专利技术公开了一种光学临近效应修正工艺模型的建模方法，包括步骤：测量半导体工艺层的光刻原始数据以及其线宽粗糙度；根据各关键尺寸的测量值的线宽粗糙度、半导体工艺层的设计规则处的基准线宽粗糙度以及半导体工艺层的设计规则处的基准权重值确定各关键尺寸的权重值。本发明专利技术通过引入线宽粗糙度来确定各关键尺寸的权重值，能减少测量数据量，还能过滤一些工艺、量测机台和量测过程中的不稳定因素和随机因素，能加快工艺模型建立的拟和和收敛时间，同时确保工艺模型的精确和可靠稳定。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种光学临近效应修正(Optical Proximity Correction, 0PC)工艺模型的建模方法。
技术介绍
现有光学邻近效应修正(0PC, Optical Proximity Correction)的过程中，需要采集大量的光刻原始数据来建立的工艺模型，该工艺模型包括光刻后工艺模型、或者刻蚀后工艺模型。现有光学临近效应修正工艺模型的建模方法中采集大量的光刻原始数据的方法为对于每个特征图形，采用在同一片硅片不同的曝光单元，测量其光刻关键尺寸(Critical Dimension，⑶)，然后取关键尺寸平均值作为各光刻原始数据；该采集方法来避免出现大的测量误差值。之后再将收集到的各光刻原始数据即将不同位置的线宽即关键尺寸数据平均值作为经验值输入建立工艺模型中。·表一 I挪酬丨~2201~2301 謂 I~250]~2601~2701~2801~2901~30θ|~310]~3201~33θ|~34θ|~3501~3601~37θ|~3801~390Τ PL-120 光刻CD 145.5 132.8 118.3 ΤΡΠ ΟΤ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学临近效应修正工艺模型的建模方法，其特征在于，包括步骤：步骤一、测量半导体工艺层的光刻原始数据以及所述光刻原始数据的线宽粗糙度；所述光刻原始数据包括多个关键尺寸的测量值；所述光刻原始数据的线宽粗糙度包括各所述关键尺寸的测量值的线宽粗糙度；步骤二、根据各所述关键尺寸的测量值的线宽粗糙度、所述半导体工艺层的设计规则处的基准线宽粗糙度以及所述半导体工艺层的设计规则处的基准权重值确定各所述关键尺寸的权重值；确定各所述关键尺寸的权重值方法为：将大于所述基准线宽粗糙度的各所述线宽粗糙度对应的各所述关键尺寸的权重值在所述基准权重值的基础上减少；将小于等于所述基准线宽粗糙度的各所述线宽粗糙度对应的各所述...

【技术特征摘要】
1.一种光学临近效应修正工艺模型的建模方法，其特征在于，包括步骤 步骤一、测量半导体工艺层的光刻原始数据以及所述光刻原始数据的线宽粗糙度；所述光刻原始数据包括多个关键尺寸的测量值；所述光刻原始数据的线宽粗糙度包括各所述关键尺寸的测量值的线宽粗糙度； 步骤二、根据各所述关键尺寸的测量值的线宽粗糙度、所述半导体工艺层的设计规则处的基准线宽粗糙度以及所述半导体工艺层的设计规则处的基准权重值确定各所述关键尺寸的权重值；确定各所述关键尺寸的权重值方法为 将大于所述基准线宽粗糙度的各所述线宽粗糙度对应的各所述关键尺寸的权重值在所述基准权重值的基础上减少； 将小于等于所述基准线宽粗糙度的各所述线宽粗糙度对应的各所述关键尺寸的权重值在所述基准权重值的基础上增加或不变。2.如权利要求I所述的光学临近效应修正工艺模型的建模方法，其特征在于步骤二中采用分段函数确定各所述关键尺寸的权重值，所述分段函数为当 LffRx > I. 3XLffR0 时，Wx = ff0/2,当 LWRx 彡 I. 3 X LffR0 时，Wx...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，袁春雨，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：