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本发明公开了一种光学临近效应修正工艺模型的建模方法，包括步骤：测量半导体工艺层的光刻原始数据以及其线宽粗糙度；根据各关键尺寸的测量值的线宽粗糙度、半导体工艺层的设计规则处的基准线宽粗糙度以及半导体工艺层的设计规则处的基准权重值确定各关键尺寸...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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