相移光掩模制作方法技术

本发明专利技术提供了一种相移光掩模制作方法。在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构；在第一光刻胶上涂布多胺化合物以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构，加热使多胺化合物与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除多余的多胺化合物；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构；通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中，完成相移光掩模制作。本工艺减少了制作相移光掩模工艺中的刻蚀步骤，可以有效地提高产能和减少制作成本。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种相移光掩模制作方法。
技术介绍
光刻工艺是制作大规模集成电路的关键工艺之一。光刻工艺是将光掩模板上的版形转移到光刻胶薄膜中， 含有版形的光刻胶膜被用于后续离子注入或刻蚀制程的掩模。光掩模在光刻工艺中承担了重要的角色。随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小，对光刻工艺的要求越来越高，相移光掩模逐渐成为高端光刻工艺的主流光掩模。如图IA所不,相移光掩模是通过对相移光掩模基板的光刻-刻蚀-光刻-刻蚀过程来制作。相移光掩模基板由石英基片I、部分透光的硅化鉬薄膜2、不透光的铬薄膜3、第一光刻胶4构成。图1B-1D展示了主流的相移光掩模制作工艺流程。通过第一光刻和刻蚀在硅化鉬薄膜2和铬薄膜3中形成第一版形5结构，如图IB所示。在第一版形5结构上涂布第二光刻胶6，如图IC所示，通过第二光刻和刻蚀在硅化鉬薄膜2中第一版形5结构上形成第二版形7结构，如图ID所示，完成相移光掩模制作。在器件尺寸微缩进入到32纳米技术节点后，单次光刻曝光无法满足制作密集线阵列图形所需的分辨率。双重图形(doub I e pa t t ern ing)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相移光掩模制作方法，其特征在于包括：第一步骤：在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构；第二步骤：在第一光刻胶上涂布多胺化合物以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构，加热使多胺化合物与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除多余的多胺化合物；第三步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；第四步骤：进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构；第五步骤：通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中，完成相移光掩模制作。

【技术特征摘要】
1.一种相移光掩模制作方法,其特征在于包括 第一步骤在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版形结构； 第二步骤在第一光刻胶上涂布多胺化合物以固化第一光刻胶中第一版形的结构，加热使多胺化合物与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除多余的多胺化合物； 第三步骤在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶； 第四步骤进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版形的结构； 第五步骤通过刻蚀将光刻胶中的第一版形和第二版形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中，完成相移光掩模制作。2.根据权利要求I所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻包括第一次曝光...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：