【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光刻工艺，特别是指一种掩膜版。
技术介绍
在目前的半导体领域和液晶显示领域，光刻工艺是必不可少的一步，它的主要作用是将掩膜版(mask)上的图形复制到基板上，再经过刻蚀等工艺，得到所需要的器件。随着科学技术的发展，我们对半导体器件和液晶显示产品的小型化、轻薄化提出了更高的要求。半导体器件的小型化、液晶显示产品的TFT性能的提高和开口率的增大都与光刻工艺有着直接的关系。在光刻工艺中，如果掩膜版的线宽较大，则不能制备图案精细的半导体器件。而在液晶显示领域，由于掩膜版的线宽较宽而不能获得较窄的TFT沟道，这样会直接影响TFT的性能和像素的开口率。为了减小掩膜版的线宽，一种半导体曝光技术 应运而生，该技术可以获得的最小线宽约在0. 18 u m,但该技术的成本较高。因此，如何在成本较低的前提下得到较窄线宽的掩膜版是目前研究的一个热点。
技术实现思路
本技术提供一种掩膜版，用以在成本较低的前提下能够得到较窄的线宽。本技术的实施例提供技术方案如下一种掩膜版，包括掩膜版基板，所述掩膜版基板上设置有透光区域和不透光区域，还包括设置于对应所述透光区域处的汇聚光线的光汇聚结构。可选的，所述光汇聚结构为凸透镜状的透光的凸起。可选的，所述凸起由铟锡氧化物制成。可选的，所述光汇聚结构为凸透镜。可选的，所述掩膜版的不透光区域设置有遮光金属层。可选的，所述掩膜版的不透光区域设置有遮光金属氧化物层。本技术的实施例具有以下有益效果上述方案中，通过设置使照射到掩膜版的透光区域的光汇聚的光汇聚结构，使得使用掩膜版曝光后形成的光刻胶图案的狭缝的宽度小于掩膜版的透光区域的宽度。附图说明图I为本...
【技术保护点】
一种掩膜版，包括：掩膜版基板，所述掩膜版基板上设置有透光区域和不透光区域，其特征在于，还包括设置于对应所述透光区域处的汇聚光线的光汇聚结构。
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，包括掩膜版基板，所述掩膜版基板上设置有透光区域和不透光区域，其特征在于，还包括设置于对应所述透光区域处的汇聚光线的光汇聚结构。2.根据权利要求I所述的掩膜版，其特征在于，所述光汇聚结构为凸透镜状的透光的凸起。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：于航，张锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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