相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模技术

本发明专利技术的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明专利技术的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可提高耐光性的相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模。特别涉及为了制作适用于以波长200nm以下的短波长的曝光光作为曝光光源的曝光装置的相移掩模所使用的相位膜坯料及其制造方法、以及相移掩模。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，通常使用光刻法来形成微细图案。并且，该微细图案的形成通常使用几片被称为转印用掩模的基板。该转印用掩模通常在透光性的玻璃基板上设置有由金属薄膜等构成的微细图案，在该转印用掩模的制造中也可以使用光刻法。在利用光刻法制造转印用掩模时，使用具有薄膜(例如遮光膜等)的掩模坯料，所述薄膜用于在玻璃基板等透光性基板上形成转印图案(掩模图案)。使用该掩模坯料制造转印用掩模时进行下述工序曝光工序，对于形成于掩模坯料上的抗蚀膜实施所期望的图案的绘制；显影工序，根据所期望的图案的绘制使所述抗蚀膜显影从而形成抗蚀图案；蚀刻工序，根据抗蚀图案对所述薄膜进行蚀刻；和剥离去除工序，将残存的抗蚀图案剥离去除。在上述显影工序中，对形成于掩模坯料上的抗蚀膜实施所期望的图案的绘制后，供给显影液，从而使可溶于显影液的抗蚀膜的部位溶解，形成抗蚀图案。另外，在上述蚀刻工序中，以该抗蚀图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.09 JP 2010-0904351.一种相移掩模还料，其是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模坯料，其特征在于， 在透光性基板上具备半透光膜， 所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成， 所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。2.如权利要求I所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率为2%以上。3.如权利要求I或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述不完全氮化膜含有Mo-N键和Mo-Si键，与Mo-N相比，含有相对多的Mo-Si键。4.如权利要求I 3任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述不完全氮化膜主要含有Si-N键和Mo-Si键。5.如权利要求I 3任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述半透光膜对于所述曝光光的波长的透过率为4%以上且小于9%。6.如权利要求I 5任一项所述的相移掩模还料,其特征在于,所述半透光膜的氮含量为40原子％以上47原子％以下。7.如权利要求I 6任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述过渡金属为钥。8.如权利要求I 7任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述半透光膜的膜厚为75nm以下。9.一种相移掩模,其是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模，其特征在于， 在透光性基板上具备半透光膜图案， 所述半透光膜图案由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成， 所述半透光膜图案的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽顺，宍户博明，酒井和也，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：
国别省市：