【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、使用所述组合物的光阻膜以及图案形成方法。特定言的，本专利技术涉及一种适用于超微影术(ultramicrolithography)制程以及其他光电加工(photofabrication)制程的感光化射线性或感放射线性组合物，所述超微影术制程举例而言适用于VLSI或大容量微晶片(high-capacity microchip)的制造制程、纳米压印模(nanoimprint mold)的制备制程或高密度信息记录媒体的制造制程；一种使用所述组合物的光阻膜；以及一种图案形成方法。更特定言之，本专利技术是涉及一种适用于使用电子束或EUV光进行半导体元件微加工的感光化射线性或感放射线性组合物、一种使用所述组合物的光阻、以及一种图案形成方法。
技术介绍
在使用光阻组合物的微加工中，随着集成电路的集成度的增加，要求形成超细图 案(ultrafine pattern)。为满足此要求,曝光波长趋于变短,且举例而言,使用电子束、X射线或EUV光来代替准分子雷射光(excimer laser light)的微影(lithography...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.01.29 JP 2010-019677;2010.08.26 JP 2010-190101.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，包含(P)树脂，所述(P)树脂具有由下式(I)表示的重复单元2.根据权利要求I所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中所述(P)树脂还含有由下式(2)表示的重复单元以及由下式(3)表示的重复单元与下式(4)表示的重复单元其中的至少任一者3.根据权利要求I或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中X为藉由在由下式(Xl)至(X6)中任一者所表示的结构部分中移除键结至构成多个芳族环的原子的一个任意氢原子或移除Rn而形成的基团4.根据权利要求2或3所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中所述(P)树脂含有由式(3)表示的重复单元，且同时地，Y1为由下式(5)表示的基团5.根据权利要求1-4中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中所述(P)树脂还含有由下式(6)表示的重复单元6.根据权利要求2-4中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：稻崎毅，伊藤孝之，土村智孝，八尾忠辉，高桥孝太郎，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：
国别省市：
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