光学邻近修正掩膜制造技术

本发明专利技术公开了一种光学邻近修正掩膜，其包括二个开口图案以及一对散射条图案。开口图案沿一第一方向排列于一基底上，且彼此隔开一既定距离。一对散射条图案沿垂直于第一方向的一第二方向排列于基底上，且邻近于每一开口图案的二个相对侧。从侧视观点，每一散射条图案在第一方向及第二方向上，不与开口图案重叠，且每一开口图案与每一散射条图案之间存在180°的相移。本发明专利技术的光学邻近修正掩膜，可降低开口图案边缘的光强度但不降低开口图案本身的光强度，进而改善经由掩膜转印至光阻上的开口图案的轮廓，并增加光刻工艺中的对比度。另外，由于光刻工艺中的对比度的增加，因此可增加光阻材料的选择弹性或进一步增加光学邻近修正掩膜的工艺容许度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学光刻技术，特别是有关于一种用于制造接触孔洞(contact hole)的光学邻近修正(optical proximity correction, 0PC)掩膜。
技术介绍
在半导体装置制造中，对应于各个特征图案(例如，接触孔洞)通常通过光刻工艺 所使用的掩膜转印至晶片上的光阻。之后，通过刻蚀工艺将特征图案形成于晶片上。然而， 由于光线绕射或其他因素，掩膜上的图案并无法顺利转印至光阻上而造成特征图案制造上 的困难。因此，半导体装置制造的其中一个目标就是使原始设计图案能够通过掩膜准确地 转印至晶片上的光阻。目前，已经有发展出许多光学邻近修正掩膜，使原始设计图案能够更准确地转印 至光阻上。一种熟习的光学邻近修正掩膜为在掩膜上增加次解析(subresolution)的散射 条(scattering bar)图案。由于散射条图案很细小，因此光学邻近修正掩膜中的散射条图 案无法通过曝光工艺而转印至光阻上，但可改善光刻技术中图案的锐利度(sharpness)。例 如，美国专利编号第6，238，825号揭露一种具有间隔排列的散射条的掩膜，用以修正光学 邻近效应而提升光刻工艺的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学邻近修正掩膜，其特征在于，包括：二个开口图案，沿一第一方向排列于一基底上，且彼此隔开一既定距离；以及一对散射条图案，沿垂直于所述第一方向的一第二方向排列于所述基底上，且邻近于每一开口图案的二个相对侧；其中从侧视观点，每一散射条图案在所述第一方向及所述第二方向上，不与所述开口图案重叠，且其中每一开口图案与每一散射条图案之间存在180°的相移。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶癸廷，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：