对光掩膜设计版图进行光学临近修正的方法和装置制造方法及图纸

本申请涉及一种对光掩膜设计版图进行光学临近修正的方法和装置，该方法包括：通过OPC模型仿真为原始光掩膜设计版图中具有相似二维角的图形确定分立型的子辅助图形的个数、形状、大小及位置；搜索所述原始光掩膜设计版图中所有具有相似二维角的图形的两个边上的所有修正片段集合；根据所确定的位置移动所有修正片段集合，由此形成分立型的子辅助图形；将所得到的分立型的子辅助图形与原始光掩膜设计版图进行逻辑或运算，从而将分立型的子辅助图形添加在原始光掩膜设计版图的具有相似二维角的图形的周围。本申请可以提高二维角图形的保形性；避免生产成本增加；以及灵活设计和组合分立型的辅助图形，从而提高二维图形的分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对光掩膜设计版图进行光学临近修正的方法和装置。
技术介绍
随着微电子技术的迅猛发展，集成电路设计和制造已进入超深亚微米(VDSM)阶段，特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长，即，掩膜图案的尺寸接近甚至小于形成光刻图案的光线的波长，从而产生光学临近效应(Optical Proximity Effect, ΟΡΕ)。在这种情况下，掩膜上的图案将在转移时发生变形，而且掩膜图案上相邻图案区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大，由此实际硅片上得到的光刻图形与掩膜图案之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了电路性能和生产成品率。为了尽量消除这种误差，一种有效的方法是光学临近修正(OpticalProximity Correction, 0PC)方法，其利用计算机和套装软件运算等对欲曝光在硅片的半导体基底上的原始图案进行计算修正，得到与原始图案不同的结果图形，再将此结果图形输入计算机存档。根据光学临近效应修正所得到的结果图形制作于光掩膜上，光束通过此光掩膜投影在半导体基底上的图案可与原始图案几乎相同，从而弥补由光学装置的有限分辨率造成的光学临近效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏芳，阚欢，张辰明，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：