制造掩模的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造掩模的方法。制造掩模的方法可以包括形成初始肋的步骤和去除初始肋的边缘部分以形成最终肋的步骤，每个最终肋的顶部宽度小于初始肋的顶部宽度。初始肋之间的空间可小于由最终肋限定的缝隙的宽度。

【技术实现步骤摘要】
制造掩模的方法本申请参照于2011年9月15日在先提交到韩国知识产权局并被适时编号为10-2011-0093072的申请，将该申请包含于此并要求该申请的所有权益。
本专利技术总体涉及一种制造掩模的方法。更具体地说，本专利技术涉及一种制造用于沉积工艺的沉积掩模或用于曝光工艺的光掩模的方法。
技术介绍
平板显示器或半导体装置的形成可包括在基底上沉积薄的图案的步骤。例如，可利用沉积掩模将薄的图案直接形成在基底上。可选地，可通过将雕刻在光掩模上的图案转印到沉积在基底上的层上来形成薄的图案。近来，为了满足高密度半导体装置或高分辨率平板显示器的要求，已经需要能够在基底上沉积或转印高分辨率图案的沉积掩模或光掩模。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种制造具有高精度精细图案的掩模的方法。根据本专利技术的实施例，一种制造掩模的方法可以包括：将掩模基底图案化以形成初始肋；去除初始肋的上边缘部分以形成最终肋，最终肋限定缝隙并且最终肋的顶部宽度小于初始肋的顶部宽度。在一些实施例中，形成初始肋的步骤和形成最终肋的步骤可包括至少一个光刻工艺。在一些实施例中，形成初始肋的步骤可包括：在掩模基底的顶表面上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案的顶部宽度大于最终肋的顶部宽度；在掩模基底的底表面上形成第二光致抗蚀剂图案，以面对第一光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案的底部宽度基本等于最终肋的底部宽度；利用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底的顶表面和底表面，以形成第一凹陷和第二凹陷；形成第三光致抗蚀剂图案以覆盖第一光致抗蚀剂图案和第一凹陷；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案和第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底，以形成限定初始肋的侧壁的通孔。在一些实施例中，第一光致抗蚀剂图案之间的空间可比缝隙的宽度小。在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖第二光致抗蚀剂图案和初始肋的侧壁的一部分；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案、第三光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分。在俯视图中，底部光致抗蚀剂图案的宽度与最终肋的顶部宽度可以基本相等。在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：去除第一光致抗蚀剂图案至第三光致抗蚀剂图案；形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖初始肋的底表面和侧壁；在初始肋的顶表面上形成上光致抗蚀剂图案，上光致抗蚀剂图案具有与最终肋的顶部宽度基本相等的宽度并且面对底部光致抗蚀剂图案；利用上光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分。在一些实施例中，可利用湿蚀刻工艺以各向同性蚀刻的方式执行形成通孔的步骤。在一些实施例中，掩模可以是用于沉积工艺的沉积掩模和用于光刻工艺的光掩模中的一种。在一些实施例中，每个最终肋可具有顶部宽度可大于其底部宽度的镜像对称的梯形剖面，最终肋可包括从最终肋的顶表面的边缘沿竖直方向向下延伸的线性侧壁，以及从线性侧壁的边缘以向上凹的方式延伸至最终肋的底表面的边缘的弯曲侧壁。根据本专利技术的实施例，一种制造掩模的方法可包括下述步骤：利用光刻工艺形成初始肋；利用光刻工艺去除初始肋的上边缘部分，以形成限定缝隙并且顶部宽度小于初始肋的顶部宽度的最终肋。最终肋可具有顶部宽度可大于底部宽度的镜像对称的梯形剖面，最终肋可包括从最终肋的顶表面的边缘沿竖直方向向下延伸的线性侧壁，以及从线性侧壁的边缘以向上凹的方式延伸至最终肋的底表面的边缘的弯曲侧壁。在一些实施例中，形成初始肋的步骤可包括：在掩模基底的顶表面上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案包括以比缝隙的宽度小的空间布置的部分，第一光致抗蚀剂图案的每个部分的宽度大于最终肋的顶部宽度；在掩模基底的底表面上形成第二光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案包括这样的部分，每个部分的宽度可与最终肋的底部宽度基本相等，并且每个部分可以与穿过第一光致抗蚀剂图案的对应部分的中心的轴对齐；利用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底的顶表面以形成深度可小于最终肋的线性侧壁的竖直长度的第一凹陷，并且利用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底的底表面以形成深度可小于最终肋的弯曲侧壁的高度的第二凹陷；形成第三光致抗蚀剂图案，以覆盖第一光致抗蚀剂图案和第一凹陷；利用第一光致抗蚀剂图案至第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底，以形成延伸的曲线侧壁，延伸的曲线侧壁的曲线长度大于最终肋的弯曲侧壁的曲线长度。在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖第二光致抗蚀剂图案和初始肋的延伸的曲线侧壁的一部分；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案、第三光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的延伸的曲线侧壁，以形成具有线性侧壁和弯曲侧壁的最终肋。在俯视图中，底部光致抗蚀剂图案的宽度可与最终肋的顶部宽度基本相等。在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：去除第一光致抗蚀剂图案至第三光致抗蚀剂图案；形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖初始肋的底表面和延伸的曲线侧壁；在初始肋的顶表面上形成上光致抗蚀剂图案，上光致抗蚀剂图案包括这样的部分，每个部分的宽度可以与最终肋的顶部宽度基本相等，并且每个部分可以与穿过底部光致抗蚀剂图案的对应部分的中心的轴对齐；利用上光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分，以形成具有线性侧壁和弯曲侧壁的最终肋。在一些实施例中，掩模可以是用于平板显示器和/或半导体装置的沉积工艺的沉积掩模，或者是用于平板显示器和/或半导体装置的光刻工艺的光掩模。在一些实施例中，可以利用湿蚀刻工艺以各向同性蚀刻的方式执行形成初始肋的延伸的曲线侧壁的步骤。附图说明当与附图结合地考虑时，通过参照下面的详细描述，对本专利技术的更完整的理解以及本专利技术的许多附加优点将随着本专利技术被更清楚地理解而容易明白，在附图中相同的标号指示相同或相似的组件，其中：图1是用于制造平板显示器的沉积设备的剖视图；图2是示出图1中的掩模组件的放大透视图；图3是放大了图2中的图案区的一部分的剖视图；图4A至图4H是示出根据本专利技术实施例的制造掩模的方法的剖视图；图4I是示出根据本专利技术实施例的图4A至图4H中示出的制造掩模的方法的流程图；图5A至图5I是示出根据本专利技术其它实施例的制造掩模的方法的剖视图；图5J是示出根据本专利技术其它实施例的图5A至图5H中示出的制造掩模的方法的流程图。应当注意的是，这些附图意图示出在特定实施例中应用的方法、结构和/或材料的共同特性，以对下面提供的文字描述进行补充。然而，这些附图并不是成比例的，并且可能不会精确地反应任何给出的实施例的精确的结构或性能特性，而不应被解释为限定或限制由示例性实施例所包括的值或性质的范围。例如，为了清楚起见，可缩小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位。在不同的附图中使用相似或相同的标号意图表示存在的相似或相同的元件或特征。具体实施方式现在将参照附图更充分地描述本专利技术的示例性实施例，在附图中示出了示例性实施例。然而，本专利技术的示例性实施例可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完全的，并且这些实施例将把本专利技术实施例的构思充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造掩模的方法，所述方法包括下述步骤：将掩模基底图案化以形成初始肋；去除初始肋的上边缘部分以形成最终肋，最终肋限定缝隙并且最终肋的顶部宽度小于初始肋的顶部宽度。

【技术特征摘要】
2011.09.15 KR 10-2011-00930721.一种制造掩模的方法，所述方法包括下述步骤：将掩模基底图案化以形成初始肋；去除初始肋的上边缘部分以形成最终肋，最终肋限定缝隙并且最终肋的顶部宽度小于初始肋的顶部宽度，其中，形成初始肋的步骤包括：在掩模基底的顶表面上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案的顶部宽度大于最终肋的顶部宽度；在掩模基底的底表面上形成第二光致抗蚀剂图案，以面对第一光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案的底部宽度基本等于最终肋的底部宽度；利用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底的顶表面和底表面，以形成第一凹陷和第二凹陷；形成第三光致抗蚀剂图案以覆盖第一光致抗蚀剂图案和第一凹陷；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案和第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底，以形成限定初始肋的侧壁的通孔。2.如权利要求1所述的方法，其中，形成初始肋的步骤和形成最终肋的步骤中的每个步骤包括至少一个光刻工艺。3.如权利要求1所述的方法，其中，第一光致抗蚀剂图案之间的空间比缝隙的宽度小。4.如权利要求1所述的方法，其中，形成最终肋的步骤包括：形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖第二光致抗蚀剂图案和初始肋的侧壁的一部分；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案、第三光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分；其中，在俯视图中，底部光致抗蚀剂图案的宽度与最终肋的顶部宽度基本相等。5.如权利要求1所述的方法，其中，形成最终肋的步骤包括：去除第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案和第三光致抗蚀剂图案；形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖初始肋的底表面和侧壁；在初始肋的顶表面上形成上光致抗蚀剂图案，上光致抗蚀剂图案具有与最终肋的顶部宽度基本相等的宽度并且面对底部光致抗蚀剂图案；利用上光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分。6.如权利要求1所述的方法，其中，利用湿蚀刻工艺以各向同性蚀刻的方式执行形成通孔的步骤。7.如权利要求1所述的方法，其中，掩模是用于沉积工艺的沉积掩模和用于光刻工艺的光掩模中的一种。8.如权利要求1所述的方法，其中，每个最终肋具有顶部宽度比底部宽度大的镜像对称的梯形剖面；其中，最终肋包括从最终肋的顶表面的边缘沿竖直方向向下延伸的线性侧壁，以及从线性侧壁的边缘以向上凹的方式延伸至最终肋的底表面的边缘的弯曲侧壁。9.一种制造掩模的方法，所述方法包括下述步骤：利用光刻工艺形成初始肋；利用光刻工艺去除初始肋的上边缘部分，以形成限定缝隙并且顶部宽度比初始肋的顶部宽度小的最终肋，其中，最终肋具有顶部宽度大于底部宽度的镜像对称的梯形剖面，其中，最终肋包括从最终肋的顶表面的边缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：瓦列里·布鲁辛斯奇，玄元植，罗兴烈，金旻首，表莹信，洪宰敏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：