光刻用防尘薄膜组件以及其制造方法技术

技术编号:8489212 阅读:220 留言:0更新日期:2013-03-28 07:48
本发明专利技术提供一种防尘薄膜组件,对光掩模接着剂的成形形状进行调整,由此,该防尘薄膜组件在向光掩模贴附时,即使加压,光掩模接着剂4也不会向防尘薄膜组件的内侧膨出。本发明专利技术的防尘薄膜组件包括:防尘薄膜3、将防尘薄膜绷紧贴附的防尘薄膜组件框架1、防尘薄膜组件框架的一个端面上形成以便将防尘薄膜进行接着的接着剂2以及在与膜接着剂相反侧的一端面形成的光掩模接着用粘着剂4,所述光掩模接着用粘着剂4的截面形状为矩形为梯形,并且,所述侧壁面与框架面所成的角α为90°以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻用防尘薄膜组件的光掩模粘着剂,进一步涉及防尘薄膜组件粘着剂的成形形状。
技术介绍
LS I ,超L S I等的半导体制造或者液晶表不板等的制造中,半导体晶片或者液晶用原版用光照射,从而进行图案制作。在所述场合使用的曝光原版(光刻用光掩模)如有灰有尘为附着,所述灰尘会吸收光,从而使光弯曲,这不仅会使转印的图案变形,边沿不齐,还会使基地变黑,发生尺寸、品质、外观以及完成后的部件机能等受损的问题。由此,上述的作业,通常在无尘室中进行,但是即使在无尘室内,要保持曝光原版总是清净也是很难的,所以一般采取在曝光原版的表面贴附挡住灰尘,且使曝光用光良好通过的防尘薄膜组件的方法。在所述场合,灰尘不在曝光原版的表面上直接附着,而是在防尘薄膜上附着,如此只要在光刻时将焦点对准曝光原版的图案,防尘薄膜上的灰尘与转印就无关系了。防尘薄膜组件的基本的构成如图1,图2所示。是将使曝光用光良好透过的硝酸纤维素、醋酸纤维素以及氟类聚合物等构成的透明的防尘薄膜3贴附于下述防尘薄膜组件框架上,即在由实施了黑色氧化膜处理的A 7075, A 6061以及A 5052等的铝合金、不锈钢以及聚乙烯等形成的防尘薄膜组件框架I上,或者在铝以及其他的金属上进行了涂装以及涂布的防尘薄膜组件框架I等的上端将防尘薄膜的良溶媒进行涂布,风干后进行接着(专利文献I参照),或用丙烯酸树脂、环氧树脂以及氟树脂等的接着剂2进行接着(专利文献2,专利文献3参照),进一步,在防尘薄膜组件框架I的下端,为了安装曝光原版,使用聚丁烯、聚醋酸乙烯基酯、丙烯酸树脂或者硅氧烷树脂等形成的粘着財层4,另外为了保护粘着剂层,设有光掩模粘着剂保护用衬层5。先行技术文献专利文献专利文献I特开昭58- 219023号公报专利文献2美国专利第4861402号说明书专利文献3特公昭63- 27707号公报防尘薄膜组件是,以将光掩模基板的表面形成的图案领域进行包围的形式进行设置的。防尘薄膜组件是为了防止光掩模基板上有灰尘为附着而设置的,所以所述图案领域和防尘薄膜组件外部,被分隔开,由此使防尘薄膜组件外部的灰尘不在图案面上附着。近年,L S I的设计规则,正向小于四分之一的细微化前进,与此相伴随,曝光源的短波长化正在前进。即,从至今为至为主流的水银灯的g线(436 nm)以及I线(35 nm),变为Kr F准分子激光(248 nm), A r F准分子激光(193 n m),F 2激光(157 n m)等。由于这样的曝光的短波长化的进行,随之曝光所持的能量变高。在高能量的光被使用的场合,与以往的那样的波长的光相比,曝光氛围气中存在的气体状物质进行反应,在光掩模基板上有反应生成物生成的可能性就会大幅度变高。由此,采取了将无尘室内的气体状物质极力减低,光掩模的洗净严格进行以及将防尘薄膜组件的构成物质发生气体的问题排除等的对策。特别是防尘薄膜组件,在光掩模基板上进行直接贴附使用的场合,要求从防尘薄膜组件构成材料,即从有机材料形成的光掩模接着剂、防尘薄膜接着剂以及内壁涂布剂等发生的气体要少,从而可以得到改善。但是,光掩模基板上发生的所谓的「雾」的云状异物,即使进行光掩模的洗净以及防尘薄膜组件构成材料的低发生气体化,也不能完全杜绝,其成为半导体制造中的成品率变差的原因。另一方面,近年光掩模上形成的图案的领域变广,由于要高效地对光掩模面进行利用而进行光刻,曝光时光会照到防尘薄膜组件近傍。由此,如曝光时防尘薄膜组件的光掩模接着剂就会从防尘薄膜组件框架向内侧膨出,此时曝光光以及或其散射光如碰到光掩模接着剂,就会有气体发生,发生的臭氧等的气体就会对光掩模接着剂产生热损害,气体的发生,会有可能使光掩模接着剂的机能变差。即使使光掩模接着剂的低发生气体化,如果关键的光掩模接着剂膨出,这些改良不仅会变得无用,根据场合,会对光掩模造成伤害,发生大的损害。作为所述那样的问题发生的原因,为防尘薄膜组件在光掩模上贴附时,要加以高压力,从而贴附于防尘薄膜组件。这是由于介于光掩模接着剂将防尘薄膜组件在光掩模上进行贴附,如不加以充分的荷重,就会在光掩模和光掩模接着剂之间形成气体通道,由此,使光掩模的图案面与外部环境隔离的本来的机能就会有失去的可能。如施加如此高的贴附压力,加压时,光掩模接着剂就会发生显著的变形,如此,光掩模接着剂就会在框架内侧膨出。本专利技术就是,鉴于所述的情况,而得到的。本专利技术的目的是提供一种对光掩模接着剂的成形形状进行了调整的。根据该方法,在将防尘薄膜组件在光掩模上贴附时,即使加压,光掩模接着剂也不会向防尘薄膜组件的内侧膨出。
技术实现思路
上述本专利技术的目的,可以有下述技术方案来达到。一种光刻用防尘薄膜组件,包括(图1参照)防尘薄膜(3)、使所述防尘薄膜绷紧设置的防尘薄膜组件框架(1)、在所述防尘薄膜组件框架的一个端面上形成的防尘薄膜贴附用的接着剂层(2)、与所述防尘薄膜贴附用接着剂层相反侧的端面上形成的光掩模粘着剂层(4),其特征在于所述光掩模粘着剂层(4)的截面为矩形或梯形,上端具有平坦面,并且,所述光掩模粘着剂层的侧面与框架面的角α为90°以下。本专利技术中的粘着剂层的侧面与框架面形成的角,如图3例示的那样,被叫做接着剂层的截面形状中的梯形的底角,也略称为侧壁面角。接着剂层的截面形为梯形的理由,将参照图6后述。本专利技术中,截面形状的矩形或梯形,不要求为几何学上的严密的梯形以及矩形,只要是梯形类似形状以及矩形的类似形状即可。为了易于与附图进行对照,将附图参照符合加以括号进行记述,但是本专利技术的构造并不限制为附图。专利技术的效果本专利技术的防尘薄膜组件框架的一端上形成的光掩模接着剂的成形形状为,所述侧壁面与框架面的角度为90°以下,由此可以防止光掩模粘着剂从防尘薄膜组件框架的膨出,使其在光刻工程的曝光光或其散射光中的暴露为最小,从而可以防止雾发生的原因的气体的产生,以及光掩模接着剂的老化的问题。附图说明图1表示防尘薄膜组件的基本的构成的截面说明图。图2表示防尘薄膜组件的基本构成的全体斜视说明图。图3表示防尘薄膜组件框架上形成的光掩模接着剂层与侧壁面角度α的示意说明图。图4防尘薄膜组件框架的上端面宽和光掩模接着剂层的侧壁面角度的优选关系曲线。图5表示防尘薄膜组件框架的上端面宽和光掩模接着剂的涂布量相对值的关系的曲线。图6说明光掩模接着用粘着材料的成形的示意图。具体实施例方式本专利技术人进行了研究的结果,得知在粘着剂层形成时,粘着剂的侧壁面与框架面形成的角度要在90°以下,由此可以防止在防尘薄膜组件加压贴合时的膨出,从而完成了本专利技术。本专利技术的主要内容为,防尘薄膜组件的光掩模接着剂层的侧壁面和框架面形成的角度为90°以下,由此就可以防止防尘薄膜组件在光掩模上进行贴附时,光掩模接着剂膨出,从而带来的种种的问题。如果仅仅着眼于防止光掩模接着剂的膨出,侧壁面和框架面的角度越小越好,但是过小会使接着强度变差。因此,在没有膨出的危险的范围内,又可以得到充分的接着强度的条件为「90°以下」的这一构成使本专利技术具有新颖性和创造性。以下,参照附图,对本专利技术进行进一步详细说明。本专利技术的防尘薄膜组件,如图1所示,防尘薄膜组件框架I的上端面介于防尘薄膜贴附用接着剂层2绷紧设置有防尘薄膜3,所述场合,通常,在下端面形成光掩模接着用粘着剂(光掩本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种光刻用防尘薄膜组件,包括防尘薄膜、将所述防尘薄膜绷紧设置的防尘薄膜组件框架、所述防尘薄膜组件框架的一个端面形成的防尘薄膜贴附用的接着剂层、与所述防尘薄膜贴附用接着剂层相反侧的端面形成的光掩模粘着剂层,其特征在于:所述光掩模粘着剂层的截面为矩形或梯形,上端具有平坦面,并且,所述光掩模粘着剂层的侧面与框架面所成的角为90°以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:永田爱彦
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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