用于EUV光刻的防护薄膜组件制造技术

提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件。所述用于EUV光刻的防护薄膜组件包括形成在第一无机层上的第一结合层和具有碳纳米结构的强度增强层，其中，第一结合层增强第一无机层与强度增强层之间的结合力，通过包括具有碳纳米结构的强度增强层来提高防护薄膜组件膜的强度。此外，根据另一示例，提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件和一种用于制造所述防护薄膜组件的方法。用于EUV光刻的防护薄膜组件是包括多个孔且由消光系数为0.02或更小的材料制成的多孔薄膜，其中，所述孔具有1μm或更小的直径。因此，防护薄膜组件可以被制造成具有高的EUV透射率且厚，从而确保改善的强度。

Protective film assembly for EUV lithography

A protective film assembly for EUV lithography is provided. The pellicle for EUV lithography includes forming a first bonding layer in the first inorganic layer and a carbon nano structure strength enhancement layer, the first layer combined with the enhancement of the first inorganic layer and strength and enhance the binding force between the layers, by including carbon nano structure strength enhancement layer to improve the pellicle film the strength. In addition, according to another example, a protective film assembly for EUV lithography and a method for manufacturing the protective film assembly are provided. A protective film assembly for EUV lithography is a porous film comprising a plurality of holes and a material having an extinction coefficient of 0.02 or less, wherein the hole has a diameter of 1 m or less. As a result, the protective film assembly can be manufactured with a high EUV transmittance and thickness, thereby ensuring improved strength.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于EUV光刻的防护薄膜组件(pellicle)，更具体地，涉及具有提高的强度而不具有单独的支撑结构的用于EUV光刻的防护薄膜组件以及具有提高的EUV透射率和强度的用于EUV光刻的防护薄膜组件。
技术介绍
极紫外线(EUV)光刻技术是一种使用13.5nm波长的光源的图案形成技术，与使用来自ArF光源的193nm的光的常规光刻技术相比，13.5nm的波长是非常短的。其被认为是用于制造具有22nm或更小的图案线宽的半导体器件的核心技术。EUV光源被所有自然存在的材料强烈吸收，因此，用于形状、结构等方面的处理的必要的设备的设计与常规光刻有所不同。因为EUV被高度吸收，所以对于光刻设备而言，不使用透射光学器件，并且EUV光学器件中的所有光学器件是反射型的。用于光刻的EUV防护薄膜组件用于保护掩膜，被安装在掩膜上，并且被制造为透射薄膜。尽管由单个硅薄膜层构成的防护薄膜组件(即，研究进展最多的用于EUV光刻的防护薄膜组件)因为薄膜由100nm或更小的机械性弱的硅形成而可实现足够的EUV透射率，但是，由于强度低，所以脆性是个问题，防护薄膜组件即使由于小的冲击等也会被轻易地撕裂。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于EUV光刻的防护薄膜组件，包括：第一无机层，包括消光系数小于或等于0.02的无机材料；第一结合层，设置在第一无机层上，并且包括具有属于儿茶酚基团的官能团的有机材料；以及强度增强层，设置在第一结合层上，并且包括碳纳米结构，其中，第一结合层增大第一无机层与强度增强层之间的结合强度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.17 KR 10-2014-0046210;2014.04.17 KR 10-2011.一种用于EUV光刻的防护薄膜组件，包括：第一无机层，包括消光系数小于或等于0.02的无机材料；第一结合层，设置在第一无机层上，并且包括具有属于儿茶酚基团的官能团的有机材料；以及强度增强层，设置在第一结合层上，并且包括碳纳米结构，其中，第一结合层增大第一无机层与强度增强层之间的结合强度。2.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第一无机层包括Zr、Mo、Y、Si、Rb、Sr、Nb或Ru。3.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第一结合层包括多巴胺、聚多巴胺、去肾上腺素、聚去肾上腺素、肾上腺素或聚肾上腺素。4.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第一结合层的厚度小于或等于10nm。5.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，所述碳纳米结构包括石墨烯或碳纳米管。6.如权利要求5所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，强度增强层是碳纳米管网格。7.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，还包括：第二结合层，设置在强度增强层上，并且包括具有属于儿茶酚基团的官能团的有机材料；第二无机层，设置在第二结合层上，并且包括消光系数小于或等于0.02的无机材料。8.如权利要求7所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第二结合层增大强度增强层与第二无机层之间的结合强度。9.如权利要求7所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：安镇浩，李宰旭，洪成哲，李勝旻，李吉馥，金正植，金廷桓，
申请(专利权)人：汉阳大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR