本发明专利技术提供可通过阳极氧化处理形成充分黑色化的阳极氧化被膜，能在工业上低成本且简便地获得防尘薄膜用支承框的方法、通过该方法得到的防尘薄膜用支承框及防尘薄膜。防尘薄膜用支承框的制造方法以及通过该方法得到的防尘薄膜用支承框及具备光学薄膜体的防尘薄膜，所述方法是具备光学薄膜体用作防尘薄膜的防尘薄膜用支承框的制造方法，其特征在于，对由Al-Zn-Mg系铝合金形成的铝材进行退火后，在碱性浴中进行阳极氧化处理，形成明度指数L*值在40以下的阳极氧化被膜。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供可通过阳极氧化处理形成充分黑色化的阳极氧化被膜，能在工业上低成本且简便地获得防尘薄膜用支承框的方法、通过该方法得到的防尘薄膜用支承框及防尘薄膜。防尘薄膜用支承框的制造方法以及通过该方法得到的防尘薄膜用支承框及具备光学薄膜体的防尘薄膜，所述方法是具备光学薄膜体用作防尘薄膜的防尘薄膜用支承框的制造方法，其特征在于，对由Al-Zn-Mg系铝合金形成的铝材进行退火后，在碱性浴中进行阳极氧化处理，形成明度指数L*值在40以下的阳极氧化被膜。【专利说明】防尘薄膜用支承框的制造方法、防尘薄膜用支承框及防尘 薄膜
本专利技术涉及防尘薄膜（pellicle)用支承框的制造方法、防尘薄膜用支承框及防 尘薄膜，具体涉及即使不进行使用二次电解或有机染料的着色处理也可通过阳极氧化处理 充分实现黑色化的防尘薄膜用支承框的制造方法以及通过该方法得到的防尘薄膜用支承 框及防尘薄膜。
技术介绍
LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示装置（LCD)等所使用的薄膜晶体管（TFT)或 滤色片（CF)等的制造中，包括使用曝光装置的光刻工序，该工序中通常采用被称为防尘薄 膜的防尘手段。 防尘薄膜一般是在具有与光刻掩模或光罩对应的形状的厚数毫米左右的由铝材 形成的支承框的一面铺展厚IOym左右的硝基纤维素、纤维素衍生物、氟聚合物等的透明 高分子膜（光学薄膜体）并粘接而得的结构，防止异物直接附着于光刻掩模或光罩上。此 夕卜，即使防尘薄膜上附着了异物，例如在涂布了光刻抗蚀剂的晶片上这些异物不会成像，因 此可防止因异物的像导致曝光图案的短路或断路等，使光刻工序的制造成品率提高。 对于该防尘薄膜用支承框，为了防止来自光源的光的放射而获得鲜明的图案转印 像或让使用前的异物附着检查等变得容易等目的，通常在对铝材进行阳极氧化处理后进行 黑色化，已知例如使有机染料等渗透于阳极氧化被膜的孔中使其变为黑色的方法（参考例 如专利文献1)，以及使Ni、C〇等电解析出于阳极氧化被膜的孔中来进行黑色化的方法（参 考例如专利文献2)等。 然而，近年来伴随半导体装置等的高集成化，开始要求以更窄的线宽进行微细电 路图案的描绘，对于光刻工序中所使用的曝光光，主要是KrF准分子激光（波长248nm)、ArF 准分子激光（波长193nm)、F2准分子激光（波长157nm)等短波长光。短波长的曝光光源 的输出功率高，光的能量高，如果这样的高能量的光照射于支承框，如上所述用有机染料将 阳极氧化被膜黑色化时，该有机染料可能会发生化学变化而引发色调变化或褪色。 此外，试图通过电解析出处理进行黑色化的情况下，一般重要的是pH和浴温等的 浴管理，而且电解析出处理的设备费用高，并基于需要废液处理设备等理由，希望有采用更 简易的工序的防尘薄膜用支承框的制造方法。另外，防尘薄膜用支承框铺展有光学薄膜体， 有以高精度保持其状态等要求，所以通常使用Jis标准的A7075铝合金，但对像JIS A7075 这样的Al-Zn-Mg系铝合金进行阳极氧化处理后，即使进行如上述专利文献2所记载的电解 析出处理，也存在可能会无法实现充分的黑色化的问题。 另一方面，使用硫酸浴进行了阳极氧化处理的情况下，因其在铝材表面的阳极氧 化被膜残存硫酸或磷酸等无机酸，它们与存在于曝光气氛中的氨等碱性物质反应而生成硫 酸铵等反应生成物，还存在该反应生成物（雾）使防尘薄膜模糊而对图案转印像造成影响 的问题。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本专利特开2010-237282号公报 专利文献2:日本专利第3361429号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 于是，本专利技术人为了解决这些现有技术中的问题而进行了认真研宄，结果发现通 过在将熔体化了的Al-Zn-Mg系铝合金（或熔体化后进一步进行了时效处理的Al-Zn-Mg系 铝合金）退火后，使用碱性浴进行阳极氧化处理，即使不进行采用有机染料等的处理或电 解析出处理，也可获得充分黑色化的防尘薄膜用支承框，从而完成了本专利技术。 因此，本专利技术的目的在于提供可通过阳极氧化处理形成充分黑色化的阳极氧化被 膜，能在工业上低成本且简便地获得防尘薄膜用支承框的防尘薄膜用支承框的制造方法。 此外，本专利技术的另一目的还在于提供在高能量光的照射下也不会发生色调的变化 和褪色，且可尽可能抑制雾的产生的防尘薄膜用支承框及具备其的防尘薄膜。 解决技术问题所采用的技术方案 S卩，本专利技术包括防尘薄膜用支承框的制造方法，它是具备光学薄膜体用作防尘薄 膜的防尘薄膜用支承框的制造方法，其特征在于，对将Al-Zn-Mg系铝合金熔体化而得的铝 材或将Al-Zn-Mg系铝合金熔体化并进一步进行时效处理而得的铝材进行退火后，在碱性 浴中进行阳极氧化处理，形成明度指数L i值在40以下的阳极氧化被膜。 此外，本专利技术还包括通过上述的方法得到的防尘薄膜用支承框以及在所得防尘薄 膜用支承框上具备光学薄膜体的防尘薄膜。 本专利技术中，使用将Al-Zn-Mg系铝合金熔体化而得的铝材或将Al-Zn-Mg系铝合金 熔体化并进一步进行时效处理而得的铝材（也将它们统称为"铝材"）来获得防尘薄膜用支 承框。Al-Zn-Mg系铝合金是在铝合金中具有最高强度的合金，除了实现高尺寸精度之外，还 可防止使用时的外力导致的变形和损伤等，在获得防尘薄膜用支承框时优选。对于该铝合 金，作为余分的Al以外的化学成分，较好是Zn 5. 1?6. 1质量％、Mg 2. 1?2. 9质量％和 Cu 1. 2?2. 0质量％，而且除了 Cr、Ti、B之外，还可包含作为杂质的Fe、Si、Mn、V、Zr及其 它元素。作为这样的优选的铝合金的代表例子，可例举JIS标准的A7075。 一般来说，制造防尘薄膜用支承框时，对具有规定的化学组成的铸块进行挤出或 压延加工等后，实施熔体化处理，然后通过人工时效硬化处理使含合金元素的化合物时效 析出，赋予其强度，加工成框状的铝框架。于是，本专利技术中，也可通过使用将Al-Zn-Mg系铝 合金熔体化并进一步进行时效处理而得的铝材，制成进一步赋予了强度的材料。这样的时 效析出可例举例如T4、T6、T7、T651等处理，优选使用T6改性材料。用于获得经时效处理 的铝材的处理按照JIS H0001记载的改性条件进行即可。 另外，本专利技术中，对将Al-Zn-Mg系铝合金熔体化而得的铝材或将Al-Zn-Mg系铝 合金熔体化并进一步进行时效处理而得的铝材进行退火后使用，这时，退火优选在100? 400°C的温度下进行，较好是在150?400 °C、更好是150?350 °C、进一步更好是200? 350°C的温度下进行退火。如果退火的温度低于100°C，则如后所述，即使通过其后的阳极氧 化处理也无法获得充分黑色化的支承框；相反地，如果退火的温度超过400°C，则反而明度 指数Li值升高，所得的阳极氧化被膜呈现白色化的倾向。此外，对于退火的时间，优选30? 120分钟，这样能够很好地促进阳极氧化被膜的黑色化，同时可抑制白色化的进行。 退火对阳极氧化被膜的黑色化产生影响的原因并不确定，但认为熔体化处理或熔 体化处理后的时效处理中固溶本文档来自技高网...
【技术保护点】
防尘薄膜用支承框的制造方法，它是具备光学薄膜体用作防尘薄膜的防尘薄膜用支承框的制造方法，其特征在于，对将Al‑Zn‑Mg系铝合金熔体化而得的铝材或将Al‑Zn‑Mg系铝合金熔体化并进一步进行时效处理而得的铝材进行退火后，在碱性浴中进行阳极氧化处理，形成明度指数L*值在40以下的阳极氧化被膜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口隆幸，田口喜弘，饭塚章，
申请(专利权)人：日本轻金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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