用于EUV掩模的薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术根据一些实施例提供了一种方法。从背侧研磨晶圆。将晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内。通过临时层将框架保持架附接至载体。将晶圆的正侧附接至临时层。之后，从背侧蚀刻晶圆直到晶圆达到预定厚度。之后，将其中的框架保持架和晶圆从临时层和载体分离。本发明专利技术实施例涉及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
优先权数据本申请要求于2014年11月26日提交的标题为“PellicleforEUVMaskandFabricationThereof”的临时专利申请第62/084,729号的优先权，其全部内容通过引用结合于此作为参考。
本专利技术实施例涉及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数式发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代的IC，其中每代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。在IC发展过程中，部件密度(即，每一芯块面积上互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的组件(或线))却已减小。通常这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。这种按比例缩小已经增加了处理和制造IC的复杂度。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，对实施更高分辨率光刻工艺的需要增长了。一种光刻技术是极紫外光刻(EUVL)。其他技术包括X-射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻和多个电子束无掩模光刻。EUVL采用使用极紫外(EUV)区中的光的扫描仪，极紫外(EUV)区中的波长为约1-100nm。一些EUV扫描仪提供4X缩小投影印刷，类似于一些光学扫描仪，除了EUV扫描仪使用反射而不是折射光学器件，即，反射镜代替透镜。EUV扫描仪在形成于反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收件)上提供期望的图案。目前，在用于制造集成电路的EUVL中采用二元强度掩模(BIM)。除了EUVL采用EUV区中的光(即，在13.5nm处)之外，EUVL非常类似于光学光刻，类似之处在于其需要掩模以印刷晶圆。在13.5nm左右的波长处，所有材料都高度吸收。因此，使用反射光学器件而不是折射光学器件。多层(ML)结构作为EUV空白掩模。然而，常规的EVU掩模及其制造仍具有缺陷。例如，EVU掩模具有吸收层。传统的EUV掩模吸收层可以导致较大的投影移位(aerialimageshifts)，这是不期望的。作为另一个实例，EUV掩模通常需要薄膜，其可以用作保护罩以保护EUV掩模免受损坏和/或污染粒子的影响。然而，根据特定的传统制造工艺的薄膜的制造可能导致薄膜变得扭曲、损坏或以其他方式受到破坏，从而使得薄膜不可用。因此，虽然EUV光刻系统和工艺通常已经满足它们的预期目的，但是它们没有在所有方面都尽如人意。需要一种EUV光刻方法系统以解决上述问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种方法，包括：从背侧研磨晶圆；将所述晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内，其中，通过临时层将所述框架保持架附接至载体，其中，实施所述插入从而使得所述晶圆的正侧附接至所述临时层；之后，从背侧蚀刻所述晶圆直到所述晶圆达到预定厚度；以及之后，将其中的所述框架保持架和所述晶圆从所述临时层和所述载体分离。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种方法，包括：从背侧研磨晶圆的部分；之后，将所述晶圆的部分插入到通过框架保持架限定的开口内，其中，通过临时接合层将所述框架保持架附接至载体，并且其中，将所述晶圆的部分的正侧接合至所述临时接合层；之后，从所述背侧蚀刻所述晶圆的部分，直到所述晶圆的部分达到介于约10纳米至约100纳米的范围内的预定厚度；以及之后，实施加热工艺或者紫外固化工艺以将所述临时接合层与所述晶圆的部分分离，从而形成具有所述晶圆的分离部分的薄膜。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种方法，包括：提供晶圆，所述晶圆含有衬底、设置在衬底上方的绝缘层和设置在所述绝缘层上方的外延层；将所述晶圆切割成多个块，其中，至少一个所述块的横向几何结构与通过框架保持架限定的开口的横向几何结构匹配以用于极紫外(EUV)光刻掩模；从背侧研磨所述晶圆的至少一个所述块；之后，将研磨的所述晶圆的块插入到通过所述框架保持架限定的所述开口内，其中，所述框架保持架通过粘合层附接至载体，并且其中，实施所述插入，从而使得研磨的所述晶圆的块的正侧附接至所述粘合层；之后，从背侧蚀刻研磨的所述晶圆的块，直到所述晶圆的块达到预定厚度；以及之后，实施加热工艺或紫外固化工艺以将蚀刻的所述晶圆的块与所述粘合层分离，其中，蚀刻的所述晶圆的块用作所述EUV掩模的薄膜。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意地增大或减小。图1是根据一些实施例构建的光刻系统的示意图。图2是根据一些实施例构建的EUV掩模的剖视图。图3至图4是示出不同EUV掩模的投影移位的图。图5是根据一些实施例的制造EUV掩模的方法的流程图。图6是根据一些实施例的晶圆的简化的顶视图。图7至图14是根据一些实施例的示出EUV掩模薄膜的制造的各个器件的简化的截面侧视图。图15是根据一些实施例的形成EUV掩模薄膜的方法的流程图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例并且不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所论述多个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。图1是根据一些实施例构建的光刻系统10的示意图。光刻系统10也可通常称为扫描仪，可操作扫描仪以利用相应的辐射源和曝光模式实施光刻曝光工艺。在本实施例中，光刻系统10是设计为通过EUV光曝光光刻胶层的极紫外(EUV)光刻系统。光刻胶层是对EUV光敏感的材料。EUV光刻系统10采用辐射源12产生以EUV光，诸如具有介于约1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：从背侧研磨晶圆；将所述晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内，其中，通过临时层将所述框架保持架附接至载体，其中，实施所述插入从而使得所述晶圆的正侧附接至所述临时层；之后，从背侧蚀刻所述晶圆直到所述晶圆达到预定厚度；以及之后，将其中的所述框架保持架和所述晶圆从所述临时层和所述载体分离。

【技术特征摘要】
2014.11.26 US 62/084,729;2015.07.15 US 14/799,6161.一种方法，包括：
从背侧研磨晶圆；
将所述晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内，其中，通过临时层
将所述框架保持架附接至载体，其中，实施所述插入从而使得所述晶圆的
正侧附接至所述临时层；
之后，从背侧蚀刻所述晶圆直到所述晶圆达到预定厚度；以及
之后，将其中的所述框架保持架和所述晶圆从所述临时层和所述载体
分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在与所述临时层和所述载体分
离之后，所述框架保持架中的所述晶圆用作极紫外(EUV)光刻工艺的薄
膜，其中，所述薄膜配置为放置在EUV掩模上方。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆的正侧通过粘附力附
接至所述临时层，并且其中，所述临时层含有在施加热量或紫外辐射下膨
胀的发泡材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述分离包括对所述临时层施
加热量或紫外辐射以使得所述发泡材料膨胀，从而失去与所述晶圆的正侧
的粘附力。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在研磨所述晶圆之前：
提供晶圆；以及
将所述晶圆切割成多块，其中，所述晶圆的一块是对其实施所述研磨、
所述插入、所述蚀刻和所述分离的晶圆。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，实施切割所述晶圆，从而使得
所述晶圆中的一块的水平几何结构与通过所述框架保持架限定的所述开口
的水平几何结构匹配。
7.根据权利要求1所述的方法，其中：

【专利技术属性】
技术研发人员：石志聪，游信胜，陈政宏，严涛南，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71