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薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子设备技术

技术编号:9199391 阅读:203 留言:0更新日期:2013-09-26 03:21
本发明专利技术公开了薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子设备。一种薄膜晶体管,包括:沟道层,由具有红绿柱石(bixbyte)结构的晶体氧化物半导体制成,其中,沟道层的(222)面与载流子的运动方向大致平行。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管,包括:沟道层,所述沟道层由具有红绿柱石结构的晶体氧化物半导体制成,其中,所述沟道层的(222)面与载流子的运动方向大致平行。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:横关弥树博
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:

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