显示装置、制造显示装置的方法，和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示设备，设置有如下部件：发光元件；和驱动晶体管(DRTr)，所述驱动晶体管(DRTr)将驱动电流提供到所述发光元件并且具有包括耦接部(W1)和通过所述耦接部(W1)串联耦接的多个沟道部(CH)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种显示装置，其包括电流驱动的显示元件、制造这种显示装置的方法，和设有这种显示装置的电子设备。
技术介绍
近年来，在进行图像显示的显示装置的领域中，使用电流驱动的光学元件作为发光元件的显示装置(有机电致发光(EL)显示装置，诸如有机EL元件)(其发光亮度基于流动电流的值而变化)已经被开发且其商业化正在进行。不像液晶元件或其它元件，发光元件是自发光元件，且无需单独的光源(背光)。因此，与其需要光源的液晶显示装置相比，有机EL显示装置具有图像的高可见度、低功耗和元件的高响应速度等的特性。在这样的显示装置中，单位像素可包括例如写入晶体管和驱动晶体管。写入晶体管适于选择像素信号要被写入其中的单位像素，且驱动晶体管适于将电流提供到发光元件。例如，在PTL1中，公开了一种显示装置，其中驱动晶体管的电流驱动能力被设置为低于写入晶体管的电流驱动能力。此外，例如，在PTL2中，公开了一种显示装置，其中驱动晶体管的沟道长度L被设置为长于写入晶体管的沟道长度L。此外，例如，在PTL3中，公开了一种显示装置，其还包括AC晶体管，且驱动晶体管的沟道长度L与沟道宽度W的比例(L/W)被设置为大于AC晶体管的沟道长度L与沟道宽度W的比例(L/W)。参考文献列表专利文献PTL1：日本未审查专利申请公开号2003-308030PTL2：日本未审查专利申请公开号2008-46427PTL3：日本未审查专利申请公开号2005-202371
技术实现思路
顺便提及，在显示装置中，通常需要高图像质量，且期望图像质量的进一步提高。因此，理想的是提供一种显示装置、制造显示装置的方法，和使其能够提高图像质量的电子设备。根据本公开的实施例的显示装置包括发光元件和驱动晶体管。驱动晶体管包括耦接部和通过耦接部串联耦接的多个沟道部。驱动晶体管被构造为将驱动电流提供到发光元件。根据本公开的实施例的制造显示装置的方法包括：形成驱动晶体管和写入晶体管，驱动晶体管包括耦接部和通过耦接部串联耦接的多个沟道部，且写入晶体管被构造为将像素电压传送到驱动晶体管的栅电极；和形成发光元件，所述发光元件由驱动晶体管提供电流。根据本公开的实施例的电子装置设置有前述的显示装置，且电子装置的非限制性实例可包括电视、数字照相机、个人计算机、视频摄像机和移动终端装置，诸如移动电话。在根据本公开的各自实施例的显示装置、制造显示装置的方法和电子装置中，发光元件从驱动晶体管提供有驱动电流。驱动晶体管包括耦接部和通过耦接部串联耦接的多个沟道部。根据本公开的各自实施例的显示装置、制造显示装置的方法和电子装置，使用驱动晶体管，其包括耦接部和通过耦接部串联耦接的多个沟道部，这使得能够提高图像质量。此外，这里描述的影响是非限制性的。由技术实现的效果可以是本公开中描述的一个或多个效果。附图说明图1是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的构造实例的框图。图2是示出图1所示的子像素的构造实例的电路图。图3是示出图1所示的显示部的概略截面结构的横截面图。图4A是示出图1所示的像素的结构实例的示意图。图4B是示出在图1所示的像素的结构实例的另一示意图。图4C是示出图1所示的像素的另一结实例的示意图。图5是示出电路区域的构造实例的说明图。图6是示出图2所示的驱动晶体管的构造实例的平面图。图7是示出图1所示的显示装置的操作实例的时序波形图。图8是解释由ELA设备扫描的说明图。图9A是示出图2所示的驱动晶体管的一个方向的实例的说明图。图9B是示出图2所示的驱动晶体管的方向的另一实例的说明图。图10是示出根据第一实施例的修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。图11是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的平面图。图12A是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的概略横截面图。图12B是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的示意横截面图。图12C是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的示意横截面图。图13是示出根据第一实施例的另一修改的电路区域的结构实例的说明图。图14是示出图13所示的电路区域中的驱动晶体管的构造实例的平面图。图15是示出根据第一实施例的另又一修改的像素的结构实例的示意图。图16A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。图16B是示出图16A所示的像素的结构实例的另一示意图。图17A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。图17B是示出图17A所示的像素的结构实例的另一示意图。图18A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。图18B是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。图18C是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。图18D是示出图18A至图18C中的任何所示的像素的结构实例的另一示意图。图19A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。图19B是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。图19C是示出图19A至图19C中的任何所示的像素的结构实例的另一示意图。图20A是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。图20B是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。图21是示出根据第二实施例的各自晶体管的示意截面结构的截面图。图22是示出制造图21所示的晶体管的过程的说明图。图23是示出根据第二实施例的修改的各自晶体管的示意截面结构的截面图。图24是示出制造图23所示的晶体管的过程的说明图。图25是示出根据第二实施例的修改的晶体管的示意截面结构的截面图。图26是示出制造图25所示的晶体管的过程的说明图。图27是示出根据第二实施例的修改的各自晶体管的示意截面结构的截面图。图28是示出制造图27所示的晶体管的过程的说明图。图29是示出根据第三实施例的晶体管的晶粒的说明图。图30是示出根据第三实施例的显示装置的实施实例的示意图。图31是示出根据第三实施例的修改的各自晶体管的示意截面结构的截面图。图32是示出图31所示的驱动晶体管的构造实例的平面图。图33是示出根据第三实施例的另一修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。图34是示出根据任何实施例应用于其的电视的外观构造的透视图。图35是示出根据修改的子像素的构造实例的电路图。图36是示出包括图35所示的子像素的显示装置的操本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其包括：发光元件；和驱动晶体管，其包括耦接部和通过所述耦接部串联耦接的多个沟道部，其中所述驱动晶体管被构造为将驱动电流提供到所述发光元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.12 JP 2013-189836;2014.02.06 JP 2014-021601.一种显示装置，其包括：
发光元件；和
驱动晶体管，其包括耦接部和通过所述耦接部串联耦接的多个沟道部，其中所述驱动
晶体管被构造为将驱动电流提供到所述发光元件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个沟道部中的每个都在第一方向上延
伸。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中
所述多个沟道部设置在相同层上，且
所述耦接部设置在与其中设置所述多个沟道部的层相同的层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述多个沟道部沿第二方向并列设置。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述多个沟道部设置在彼此不同的层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中
所述驱动晶体管包括第一栅电极和第二栅电极，
所述多个沟道部包括第一沟道部和第二沟道部，且
所述第一栅电极、所述第一沟道部、所述第二栅电极和所述第二沟道部以该顺序隔着
绝缘层而层叠。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中
所述驱动晶体管包括第一栅电极和第二栅电极，
所述多个沟道部包括第一沟道部和第二沟道部，且
所述第一栅电极、所述第一沟道部、所述第二沟道部和所述第二栅电极以该顺序隔着
绝缘层而层叠。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中
所述驱动晶体管包括栅电极，
所述多个沟道部包括第一沟道部和第二沟道部，且
所述第一沟道部、所述栅电极和所述第二沟道部以该顺序隔着绝缘层而层叠。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其还包括多个驱动晶体管，其中
所述多个驱动晶体管的所述沟道部中的每一个在所述第一方向上延伸。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其还包括写入晶体管，所述写入晶体管包括栅电
极和栅极绝缘膜，其中
所述驱动晶体管包括栅电极和栅极绝缘膜，
所述写入晶体管将像素电压传送到所述驱动晶体管的所述栅电极，且
所述驱动晶体管的所述栅极绝缘膜比所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜厚。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述驱动晶体管的所述栅极绝缘膜包括第
一绝缘层和设置在所述第一绝缘层和所述驱动晶体管的所述栅电极之间的第二绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜还包括
第三绝缘层，所述第三绝缘层由与所述第一绝缘层相同的材料形成在与所述第一绝缘层相
同的层上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第二绝缘层的介电常数小于所述第一
绝缘层的介电常数和所述第三绝缘层的介电常数。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜包括第
四绝缘层，所述第四绝缘层由与所述第二绝缘层相同的材料形成在与所述第二绝缘层相同
的层上。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜还包括
第三绝缘层，所述第三绝缘层由与所述第一绝缘层相同的材料形成在与所述第一绝缘层相
同的层上，其中所述第三绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二
绝缘层的介电常数和所述第四绝缘层的介电常数。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述多个沟道部形成于相同层上，
所述驱动晶体管包括栅电极和导电层，且
...

【专利技术属性】
技术研发人员：甚田诚一郎，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP