高压半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种高压半导体元件，其包含有一基底、一设置于该基底上的绝缘层、以及一设置于该绝缘层上的硅层。该硅层还包含至少一第一条状掺杂区、分别设置于该硅层的两端且与该第一条状掺杂区电连接的二端点掺杂区、以及多个第二条状掺杂区，且该多个第二条状掺杂区与该第一条状掺杂区交错设置。该第一条状掺杂区与该多个端点掺杂区包含一第一导电型态，该多个第二条状掺杂区包含一第二导电型态，且该第一导电型态与该第二导电型态互补。

【技术实现步骤摘要】
高压半导体元件
本专利技术涉及一种高压半导体元件，尤其是涉及一种可与金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管元件整合的高压半导体元件。
技术介绍
晶体管元件(transistordevice)为电路中用于开关的切换或增强电子信号的元件。在早期的固态电子电路发展是以双载流子接面晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)元件为主，而随着高速度、低成本、小尺寸数字装置的需求增加，在现代的集成电路中则是以金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldtransistor，MOSFET)元件为主力。然而，目前MOSFET元件的击穿电压约小于100伏特(volt，V)，因此无法应用于高压环境或电压高达500V至1200V的超高压环境。因此，目前仍须一种在高压甚或在超高压环境下仍能维持运作的半导体元件。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种可在高压及超高压环境下运作的半导体元件。为达上述目的，本专利技术提供一种高压半导体元件，该高压半导体元件包含有一基底、一设置于该基底上的绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压半导体元件，包含有：基底；绝缘层，设置于该基底上；以及硅层，设置于该绝缘层上，该硅层还包含：至少一第一条状掺杂区，且该第一条状掺杂区包含第一导电型态；二端点掺杂区，分别设置于该硅层的两端，并与该第一条状掺杂区电连接，且该多个端点掺杂区分别包含该第一导电型态；以及多个第二条状掺杂区，且与该第一条状掺杂区交错设置，该多个第二条状掺杂区包含第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。

【技术特征摘要】
1.一种高压半导体元件，包含有：基底；绝缘层，设置于该基底上；以及硅层，设置于该绝缘层上，该硅层还包含：至少一第一条状掺杂区，且该至少一第一条状掺杂区包含第一导电型态；二端点掺杂区，分别设置于该硅层的两端，该至少一第一条状掺杂区在该二端点掺杂区之间延伸并与其电连接，且该二端点掺杂区分别包含该第一导电型态；以及多个第二条状掺杂区，且与该至少一第一条状掺杂区交错设置，该多个第二条状掺杂区包含第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。2.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该绝缘层隔离该硅层与该基底。3.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该绝缘层包含一场氧化层或一浅沟隔离。4.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该硅层提供一完全空乏区域。5.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该硅层与一常压金属氧化物半导体晶体管元件或一高压金属氧化物半导体晶体管元件电连接。6.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该硅层包含多晶硅层或非晶硅层。7.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该至...

【专利技术属性】
技术研发人员：张堡安，李庆民，吴德源，王智充，李文芳，徐尉伦，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：