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本发明公开一种高压半导体元件，其包含有一基底、一设置于该基底上的绝缘层、以及一设置于该绝缘层上的硅层。该硅层还包含至少一第一条状掺杂区、分别设置于该硅层的两端且与该第一条状掺杂区电连接的二端点掺杂区、以及多个第二条状掺杂区，且该多个第二条状...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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