【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体基板，包括：基板本体，分成装置区域和基本上在该装置区域之外的周边区域，该基板本体的一个表面基本上背对另一个表面，且该基板本体具有基本上限定在该装置区域中实质上在该一个表面上的沟槽；以及有源层，实质上形成在该沟槽中并且由多晶硅制成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金贤周，李强远，李圭济，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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