【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第一半导体区域，包括第一导电类型的碳化硅，所述第一半导体区域具有第一部分；第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域的上侧上且与所述第一部分相邻，所述第二半导体区域包括第二导电类型的碳化硅；第三半导体区域，设置在所述第二半导体区域的上侧上且与所述第一部分间隔开，所述第三半导体区域包括所述第一导电类型的碳化硅；第四半导体区域，设置在所述第二半导体区域的上侧上，所述第四半导体区域包括所述第二导电类型的碳化硅；绝缘膜，设置在所述第一半导体区域、所述第二半导体区域和所述第三半导体区域的上侧上；控制电极，设置在所述绝缘膜上；第一电极，电连接至所述第三半导体区域；以...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：河野洋志，四户孝，铃木拓马，西尾让司，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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