【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括：衬底，包括有效单元区域和边缘区域，所述边缘区域位于所述有效单元区域的外围；多个晶体管单元，形成于所述有效单元区域中，其中每个晶体管单元包括漏区、栅区、有效体区和源区，所述源区位于所述有效体区中，且与所述栅区横向相邻地形成于所述栅区的两侧；悬浮体区，位于所述边缘区域中；以及多个槽型隔离单元，形成于所述边缘区域中，由所述边缘区域的内侧向所述边缘区域的外侧方向依次排布；其中：每个槽型隔离单元包括形成于第一型沟槽中的介电层和导电层，该介电层布于该第一型沟槽的侧壁和底部，该导电层填充布有该介电层的该第一型沟槽；所述多个槽型隔离单元中最靠近所述边缘区域内侧的起始...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马荣耀，李铁生，王怀锋，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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