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提出了一种场效应晶体管、用于该场效应晶体管的边缘结构及其制造方法。根据本公开的实施例，场效应晶体管包括形成于有效单元区域中的晶体管单元和形成于边缘区域中的边缘结构。该边缘结构包含多个槽型隔离单元，由边缘区域的内侧至外侧方向依次排布；其中最靠...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

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