一种横向高压功率器件的结终端结构制造技术

一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明专利技术针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W的两倍的情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；?所述直线结终端结构与横向高压功率半导体器件有源区结构相同，包括漏极N+接触区（1）、N型漂移区（2）、P型衬底（3）、栅极多晶硅（4）、栅氧化层（5）、P?well区（6）、源极N+接触区（7）、源极P+接触区（8）；P?well区（6）与N型漂移区（2）位于P型衬底（3）的上层，其中P?well区（6）位于中间，两边是N型漂移区（2），且P?well区（6）与N型漂移区（2）相连；N型漂移区（2）中远离P?well区（6）的两侧是漏极N+接触区（1），P?well区（6）的上层具有与金属化源极相连的源极N+接触区（7）和...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，吴文杰，李燕妃，温恒娟，陈涛，胡利志，周锌，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：