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本发明涉及一种半导体装置。根据一个实施例，半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第四半导体区域、绝缘膜、控制电极、第一电极和第二电极。第一半导体区域包括碳化硅，并具有第一部分。第二半导体区域设置在第一半导体区域的上侧...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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