半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括一第一导电型的衬底、一形成于衬底中的第二导电型的阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一场氧化物、一第一介电层以及一第二介电层。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区中。场氧化物形成于阱区的表面区域，且位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第一介电层形成于阱区的表面区域，且覆盖场氧化物的一边缘部分，第一介电层具有一第一厚度。第二介电层形成于阱区的表面区域，第二介电层具有一第二厚度。第二厚度小于第一厚度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一第一导电型的衬底；一第二导电型的阱区，形成于该衬底中；一第一掺杂区与一第二掺杂区，形成于该阱区中；一场氧化物，形成于该阱区的表面区域，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；一第一介电层，形成于该阱区的表面区域，且覆盖该场氧化物的一边缘部分，该第一介电层具有一第一厚度；以及一第二介电层，形成于该阱区的表面区域，该第二介电层具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金宥宪，徐志嘉，黄胤富，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：