光刻用防尘薄膜组件制造技术

提供一种可以减低将防尘薄膜组件贴附于曝光原版时的曝光原版的变形的光刻用防尘薄膜组件。用包括自重的0.008至5kgf的光刻用防尘薄膜组件贴附负荷贴附于曝光原版时，具有不发生空隙的粘着层。上述粘着层的杨氏模量为0.01至0.10MPa，拉伸粘接强度为0.02至0.10N/mm2，表面的平坦度为0至15μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，涉及在LSI、超LSI等的半导体装置或者液晶面板的制造时，作为防尘物而用于光刻用光掩模的光刻用防尘薄膜组件。
技术介绍
LSI以及超LSI等的半导体制造或者液晶面板等的制造，是在半导体晶片或者液晶用原板上涂布感光性树脂，然后用光照射，以制造图案。该图案制作工序中使用的曝光原版如有灰尘附着，该灰尘就会吸收光以及使光弯曲，转印的图案就会变形，边缘模糊，并且会使基底变黑变脏，从而尺寸、品质以及外观等会受损。另外，本专利技术中的所谓“曝光原版”，为光刻用光掩模(本说明中也将其仅称为“光掩模”)以及中间掩模的总称。以下，以光掩模为例进行说明。 上述的光刻操作通常在无尘室中进行，但是即使在该无尘室内，要保持曝光原版经常清洁也是困难的，所以，采用了在曝光原版的表面上，贴附可以使曝光用的光良好通过的作为防尘物的防尘薄膜组件的方法。上述防尘薄膜组件的基本的构成为，防尘薄膜组件框架以及在其上绷紧设置的防尘薄膜。防尘薄膜由曝光用光(g线、i线、KrF准分子激光以及ArF准分子激光等)良好透过的硝化纤维素，乙酸纤维素，氟类聚合物等构成。为了在防尘薄膜组件框架上绷紧设置防尘薄膜，要在防尘薄膜组件框架的上端面涂布防尘薄膜的良好溶媒，在其上贴附的防尘薄膜风干粘接，或者借助于丙烯酸树脂、环氧树脂以及氟树脂等的粘接剂进行粘接。进一步，防尘薄膜组件框架的下端面，为了进行曝光原版的安装，设置由聚丁烯树月旨、聚乙酸乙烯基树脂、丙烯酸树脂以及硅氧烷树脂等构成的粘着层，以及为了保护该粘着层为目的衬层。防尘薄膜组件，被以包围在曝光原版的表面形成的图案领域的形式设置，其是为了防止曝光原版上附上灰尘而设置的，所以该图案领域和防尘薄膜组件的外部被防尘薄膜组件隔开，从而使防尘薄膜组件外部的尘埃不附着在图案面上。近年，LSI的设计规则朝着四分之一微米以下的细微化前进，如此，曝光光源的短波长化也正在前进，即从至今为止作为主流的水银灯的g线(436nm)，i线(365nm)，向KrF准分子激光(248nm)以及ArF准分子激光(193nm)等前进，曝光光源正在变化。如此，伴随着图案的细微化的前进，光掩模以及硅氧烷晶片所要求的平坦性越来越变得严格。在光掩模完成后，为了不在光掩模的图案上有灰尘附着，将防尘薄膜组件贴附。如此如将防尘薄膜组件在光掩模上贴附，光掩模的平坦度就会发生变化。如光掩模的平坦度变差，就有可能发生焦点错位等问题。另外，如完成的光掩模的平坦度发生变化，光掩模上所示描绘的图案的形状就会变化，光掩模的重合精度就会发生问题。近年来，光掩模要求的平坦性，从在图案面的平坦度的要求从2μπι渐渐严格起来,在65nm节点(node)以下，以O. 5 μ m以下为优选,进一步，以O. 25 μ m以下为更优选。一般来说，与光掩模比较，如果将使用平坦度差的防尘薄膜组件框架的防尘薄膜组件在光掩模上贴附时，光掩模的平坦性就会发生变化。光掩模的平坦性变化的场合，在光掩模上描绘的图案就会扭曲，从而曝光转印的图案也发生扭曲，图案的位置精度就会变差。一般说来，半导体的制造中的曝光是数层曝光，如图案的位置精度变差，就会发生每一层都会发生错位的问题。另外，最近，为了对细微图案进行曝光，正在讨论对I个的图案以2个的光掩模进行2次曝光的所谓的双曝光。在该场合，如果图案扭曲，位置精度变差，就会对图案的尺寸有直接的影响。防尘薄膜组件，通过防尘薄膜组件框架的一侧设置的粘着层粘结在光掩模上，但是通常防尘薄膜组件在光掩模上贴附的场合，是将防尘薄膜组件用20至40kgf左右的力压在光掩模上。光掩模的平坦度，在数μ m以下,最先进的光刻中使用的光掩模在I μ m以下，防尘薄膜组件框架的平坦度，为数十Pm程度，与光掩模的平坦度比较，为大。为此，如防尘薄膜组件在光掩模上贴附，就会根据框架的凹凸，光掩模的平坦度发生变化。由此，如果使防尘薄膜组件框架的平坦度与光掩模的平坦度同等高的话，光掩模的平坦度的变化就会减低。 另一方面，防尘薄膜组件框架，一般由铝合金制成。半导体光刻用的防尘薄膜组件框架，为宽为150mm左右，长度为110至130mm左右的中央部镂空的形状。这些的框架，一般为从铝合金板切出防尘薄膜组件框架形状，用铝材料挤压成型而制作，厚为2_左右很细，从而容易变形，平坦的框架的制作不容易。由此，使防尘薄膜组件框架具有与光掩模同等的平坦度是非常困难的。另外，为了将防尘薄膜组件在光掩模上贴附，在粘着层中被使用粘着剂的杨氏模量通常为IMPa程度，与一般地用于防尘薄膜组件框架的铝合金的杨氏模量72GPa左右相比非常柔软。为此，被认为粘着层将防尘薄膜组件框架的表面的凹凸被吸收，由此可以缓和凹凸对光掩模的影响。以往的粘着剂的杨氏模量为IMPa左右，如使用具有比此小的杨氏模量小的粘着剂，即使用柔软的粘着剂，来吸收防尘薄膜组件框架的凹凸。上述粘着层的柔软性，不仅吸收防尘薄膜组件框架的凹凸，对为了贴附而加于防尘薄膜组件的负荷也有影响。在使用防尘薄膜组件的场合，对光掩模和所述粘着层之间的局部间隙(空隙)发生之危险以及防尘薄膜组件从光掩模上的剥离的重大危险的预防措施是不可缺少的。为此，与框架同样，与光掩模相比平坦性的差的粘着层表面，要加以负荷使其平坦，与光掩模无间隙地粘接。即，粘着剂越柔软，越可以用越小的力，就可以使光掩模表面和粘着层表面密切粘着，通过柔软的粘着剂的使用，使防尘薄膜组件框架的变形尽量变小，同时又可以将防尘薄膜组件贴附。
技术实现思路
因此本专利技术的目的，是提供一种既将防尘薄膜组件贴附于曝光原版，又能使防尘薄膜组件框架的变形造成的曝光原版的变形尽量变小的光刻用防尘薄膜组件。本专利技术的上述的目的，可以通过提供一种既能用包括自重在内的O. 008至5kgf的贴附负荷将其贴附于曝光原版，又以具有不会有空隙发生的粘着层为特征的光刻用防尘薄膜组件来达成。所述粘着层，优选杨氏模量为O. 01至O. lOMPa，拉伸粘接强度为O. 02至O. ION/mm2,表面的平坦度为O至15 μ m的粘着层。根据本专利技术，可以提供防尘薄膜组件框架的变形而造成的曝光原版的变形被极力减低的光刻用防尘薄膜组件。附图说明图I为表示防尘薄膜组件的构成例的示意截面图的一个例子。具体实施例方式以下对本专利技术，参照附图进行说明。图1，为表示本专利技术的防尘薄膜组件的构成例的示意截面图。图中，符号I为防尘薄膜，2为粘接层，3为防尘薄膜组件框架，通过粘接层2将防尘薄膜I在防尘薄膜组件框架3上进行绷紧设置。符号4为将防尘薄膜组件在光掩模表面进行贴附的粘着层，5为曝光原版(光掩模或者中间掩模)，6为防尘薄膜组件。通常，粘着层4的下端面贴附对粘着层4进行保护的衬层(未图示)，该衬层可以剥离，在使用时进行剥离。另外，在本专利技术中，优选在防尘薄膜组件框架3上设置气压调整用的孔(通气口)，进一步，为了防止对使图案化有 不好影响的的异物的侵入，也可以在该通气口设置除尘用过滤器(未图示)。本专利技术的防尘薄膜组件的构成部件的大小以及材料，与通常的防尘薄膜组件，例如半导体光刻用防尘薄膜组件、大型液晶面板制造时的光刻工序用的防尘薄膜组件等同样，可以在公知物中进行适宜选择。本专利技术中使用的防尘薄膜的种类没有特别的限制，例如，以往的准分子激光中使用的非结晶的氟聚合物等就可以使用。非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻用防尘薄膜组件，其特征在于具有在用包括自重内的0.008至5kgf的贴附负荷贴附于曝光原版时不会发生空隙的粘着层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚田淳一，白崎享，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：