孔的光学临近效应修正方法技术

本发明专利技术公开了一种孔的光学临近效应修正方法，该方法在对孔图形数据进行光学临近效应修正前，将一个或多个原始孔图形的一个或多个角切除，以相应增加孔图形的边数。该方法通过改变孔图形的形状，增大了孔图形在非正交方向的OPC修正空间，从而增大了孔图形的光刻工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
目前，光学临近效应修正(OPC, Optical Proximity Correction)技术，作为一种分辨率增强技术(RET, Resolution Enhancement Technology),已普遍应用于 0. 13 U m 技术节点以上的关键层工艺。但是，随着半导体工艺尺寸的日益缩小，图形的设计规则(design rule)越来越小，同时也越来越复杂。如何配合光刻工艺进行工艺窗口的扩大(例如，基于光刻工艺窗口的OPC修正方法)，已成为目前OPC工艺的研究方向。在孔图形层次，目前的设计规则检查(DRC, design rule check)软件对于图形与图形的距离都是通过边与边之间的距离，而不是点与点之间的距离来定义的。假设孔图形层次的设计规则为孔的大小为a，孔与孔之间的最小间距为b。由于设计规则检查软件的功能设置，孔与孔之间的距离一般必须保证数值b。当孔与孔之间位于同一直线时，图形间距离的定义如图1所示；当孔与孔之间的位置不在同一直线上时，图形间距离的定义则如图2所示。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以增大孔图形的光刻工艺窗口。为解决上述技术问题，本专利技术的，在对孔图形数据进行光学临近效应修正前，将一个或多个原始孔图形的一个或多个角切除，以相应增加孔图形的边数。本专利技术通过调整孔图形的形状，规避了孔图形受MRC的限制，增大了孔图形在非正交方向的OPC修正空间，从而间接增大了孔图形的光刻工艺窗口。附图说明图1 2是现有设计规则检查软件定义图形间距离的方式示意图；其中，图1中的两孔位于同一直线；图2中的两孔处在非正交位置。图3 4是采用本专利技术的方法后，确定图形间距离的方式示意图。图5是用本专利技术实施例的方法对90nm节点的SRAM的图形进行OPC修正得到的结果图。具体实施例方式为对本专利技术的
技术实现思路
、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式详述如下本实施例的孔的OPC修正方法，其具体步骤如下步骤I,通过EDA (Electronic Design Automation,电子设计自动化)软件画出正方形的孔图形。孔的大小(即正方形边长)为a，孔与孔之间的距离为b (最小距离)。所述EDA软件可以是Mentor的Calibre DRC工具，也可以是其他EDA工具。步骤2，通过EDA软件将需要调整形状的孔图形切去角。被切除的角的直角边长小于正方形孔的边长的1/2。步骤3，对步骤2得到的孔图形数据做OPC修正。经过上述修正后，孔与孔之间的距离由b扩大为b’，如图3所示。由于设计规则检查软件要求孔与孔之间的距离达到最小距离b即可，因此，我们可以适当地扩大孔的大小，如图4所示，孔可以从a扩大到a’(此时孔与孔之间的距离为最小距离b)。应用上述方法对90nm节点的SRAM的图形(产品为EF90，嵌入式闪存)进行OPC修正，得到如图5所示的结果，图中，内部轮廓线围成的图形(即斜线填充的图形)为孔层OPC修正前切除角的图形；外部轮廓线围成的图形(即黑点填充的图形)为孔层OPC修正后的图形。在实践中，也可以通过EDA软件直接画出去掉角的八角形孔图形，然后再对半导体芯片数据做OPC修正。综上，本专利技术的孔的OPC修正方法，通过引入切除孔图形的角，形成一条小边，规避了孔图形由于掩膜版规则检查MRC(Mask Rule Check)的限制，增大了孔图形在非正交方向的OPC修正空间，从而间接增大了孔图形的光刻工艺窗口，而在正交方向，孔与孔之间还是会被原来的MRC限定住，因此，不会出现过度修正。本文档来自技高网...

【技术保护点】
孔的光学临近效应修正方法，其特征在于，在对孔图形数据进行光学临近效应修正前，将一个或多个原始孔图形的一个或多个角切除，以相应增加孔图形的边数。

【技术特征摘要】
1.孔的光学临近效应修正方法，其特征在于，在对孔图形数据进行光学临近效应修正前，将一个或多个原始孔图形的一个或多个角切除，以相应增加孔图形的边数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始孔图形为矩形。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，袁春雨，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：