空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜制造技术

本发明专利技术提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于在制造半导体元件时所用的光掩膜的空白遮罩、一种光掩膜、以及一种用于制造所述光掩膜的方法，更具体而言，本专利技术涉及一种用于光掩膜的空白遮罩以及一种使用所述空白遮罩的光掩膜，所述空白遮罩为薄的且由具有不同反射率的金属膜及硬膜形成，从而可测量临界尺寸(critical dimension,⑶)及在其中检验缺陷。
技术介绍
随着半导体元件变得越来越精细，其性能及功能(例如，高的运行速度、低的功耗等)得到改良，且制造成本降低。因此，越来越需要制造更为精细的半导体元件。已使用光刻(lithography)技术来制造精细的半导体元件。与曝光元件及抗蚀剂材料一起用于执行光刻技术的转印遮罩(transfer mask)已受到很大关注,光刻技术是用于制造精细半导体元件的关键技术。近来，已开发出45nm 半节距后代(post-45nm_half-pitch generation)的半导体元件。45nm的半节距是193nm的1/5，193nm是ArF准分子激光器的曝光光的波长。为制造45nm半节距后代的半导体元件,仅使用分辨率增强技术(resolution enhancementt本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种空白遮罩，在所述空白遮罩中，金属膜与硬膜依序堆叠于透明基板上，其特征在于，在检验波长为200nm或以下时，所述金属膜与所述硬膜之间的反射率反差为3％至60％。

【技术特征摘要】
2011.10.17 KR 10-2011-01058331.一种空白遮罩，在所述空白遮罩中，金属膜与硬膜依序堆叠于透明基板上，其特征在于，在检验波长为200nm或以下时，所述金属膜与所述硬膜之间的反射率反差为3%至 60%。2.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，所述金属膜的反射率低于或高于所述硬膜的反射率。3.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，在检验波长为200nm或以下时，所述金属膜的反射率对所述硬膜的反射率的比率为O. 7至1. 4。4.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，所述硬膜具有O.4人/秒至1. 6A/秒的蚀刻速率。5.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，所述硬膜包含由下列所组成的群组中选出的至少一种金属材料钛T1、钒V、钴Co、镍N1、锆Zr、铌Nb、钯Pd、锌Zn、铬Cr、铝Al、 锰Mn、镉Cd、镁Mg、锂L1、硒Se、铜Cu、钥Mo、铪Hf、钽Ta、及钨W,其中所述硬膜还包含由氮N、氧O、及碳C组成的群组中选出的至少一种材料。6.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，与所述金属膜相比，所述硬膜对于用于蚀刻所述金属膜的氟基材料的蚀刻选择性为20或以上。7.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，所述硬膜具有20人至200人的厚度。8.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，所述金属膜具有200人至600人的厚度。9.根据权利要求1所述的空白遮罩，其特征在于，在曝光波长为200nm或以下时，所述金属膜具有2. 5至3. 5的光学密度。10.根据权利要求1所述的空白...

【专利技术属性】
技术研发人员：南基守，姜亘远，李钟华，梁澈圭，权顺基，
申请(专利权)人：SS技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：