一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，其采用化学气相沉积法填充衬底外延层中的沟槽。执行第一填充步骤，使用至少包括硅源和卤化物的混合气体填充所述沟槽，以形成半导体层，至少在所述沟槽填充的最后一个填充步骤中使用硅源气体而不使用卤化物气体填充沟槽，直到沟槽被完全填满。该方法既保证了沟槽的填充质量，又缩短了整个沟槽的填充时间，从而提高了具有沟槽结构尤其是具有深沟槽结构的半导体器件的生产效率，降低该半导体器件的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及利用硅外延技术填充沟槽的。
技术介绍
众所周知，功率半导体器件是电力电子应用产品的基础。近年来，由于需求旺盛，因此发展很迅速。随着技术的发展，体积逐渐变小、重量更轻、安全可靠性更高、更加节能。半导体功率器件又称为电子电力器件，包括功率分立器件和功率集成电路，用于对电流、电压、频率、相位、相数进行变换与控制，以实现整流(AC/DC)、逆变(DC/AC)、斩波(DC/DC)、开关、放大等各种功能，是能耐受高压或者承受大电流的半导体分立器件和集成电路。功率半导体器件一般都是起到开关作用，因为在“开”、“关”两个状态下，半导体器件功率损耗比较小。因此，半导体功率器件在系统中的地位相当于为整个系统“供血”的“心脏”，其广泛应用在通信、消费电子、汽车、计算机与工业控制领域。从产品结构上分类，功率半导体器件可分为二极管、三极管、功率晶体管与晶闸管，其中功率晶体管以其优异性能，正逐渐成为功率半导体器件的主流。功率晶体管又可分为MOSFET与IGBT两大类，其中MOSFET按结构又可分为VDM0SFET与LDM0SFET两种，而由于LDM0SFET相比VD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述衬底表面设有外延层，所述外延层中设置有若干沟槽；执行第一填充步骤，使用至少包括硅源和卤化物的混合气体填充所述沟槽，以形成半导体层；至少在所述沟槽填充的最后一个填充步骤中使用硅源气体而不使用卤化物气体填充沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤: 提供半导体衬底，所述衬底表面设有外延层，所述外延层中设置有若干沟槽； 执行第一填充步骤，使用至少包括硅源和齒化物的混合气体填充所述沟槽，以形成半导体层； 至少在所述沟槽填充的最后一个填充步骤中使用硅源气体而不使用卤化物气体填充沟槽。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述第一填充步骤还包括梯度降低硅源气体的流量和/或梯度增加卤化物气体的流量。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述衬底的外延层被划分为有源区和无源区。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于:位于有源区的沟槽具有第一深度和第一宽度。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于:所述无源区的沟槽具有第二深度和第二宽度。6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于:所述有源区和无源区的沟槽相互贯通。7.根据权利要 求1至3中任一项所述的制造方法，其特征在于:该方法还包括，在所述沟槽填充的最后一个填充步骤之前，仅使用卤化物气体对沟槽中的所述半导体层进行蚀刻。8.根据权利要求4或5中任一项所述的制造方法，其特征在于:当有源区的沟槽中所述半导体层与沟槽顶部沿沟槽深度方向的最大距离小于或等于第一宽度的1.6倍时，终止所述第一填充步骤。9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于:当有源区的沟槽中所述半导体层与沟槽顶部沿沟槽深度方向的最大距离小于或等于第一宽度的1.2倍时，终止所述第一填充步骤。10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，肖胜安，季伟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：