一种处理铝焊垫上的氮化钛残留物的工艺方法技术

本发明专利技术一种处理铝焊垫上的氮化钛残留物的工艺方法，其中，包括以下工艺步骤：步骤一，对未被光阻层所覆盖的阻挡层以及阻挡层下方的衬底与顶部金属阻挡层进行刻蚀，直至刻蚀至金属层；步骤二，将光阻层完全移除；步骤三，进行氮化硅的沉积，氮化硅覆盖于阻挡层、衬底侧壁顶部金属阻挡层侧壁以及金属层上表面；步骤四，在氮化硅上表面进行光阻层沉积，并利用铝焊垫光刻的条件进行光阻的涂布和显影；步骤五，对未被光阻层所覆盖的氮化硅进行刻蚀；步骤六，进行光阻层去除；步骤七，进行化学清洗。通过发明专利技术一种处理铝焊垫上的氮化钛残留物的工艺方法，能够在保持铝焊垫形貌的前提下，完成对铝焊垫上的氮化钛残留物的去除，并不会对底部铝造成过多的损失，同时极大避免的由此造成的晶圆报废，而且工艺简单，无需增加额外的设备和材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种残留物去除工艺，尤其涉及。
技术介绍
后段的铝焊垫刻蚀是芯片进行封装工艺前的最后一道半导体制造工艺，晶圆在焊垫刻蚀后，经过最后的一些检测(外观检测，电性测试，良率测试)便进入后道封装阶段。铝焊垫的堆叠结构图1所示，一般铝上面依次是氮化钛、氧化硅、氮化硅，由于铝垫比较厚，造成晶圆表面的高低不平，所以绝缘物阻挡层(氧化硅和氮化硅)都比较厚，氮化硅还有防射线和水汽的作用；由于铝焊垫是用于后续的金属焊线连接，所以要刻蚀的区域都比较大，一般是几十微米见方的矩形的阵列。总之，铝焊垫刻蚀的特点是主要是由于刻蚀层厚，图形尺寸大，光阻厚，刻蚀选择比要求不高，刻蚀时间长的一种绝缘物刻蚀。如图2A-2C所示，铝焊垫刻蚀一般使用碳氟气体和氩气、氮气等惰性气体以及清洁气体氧气的组合来进行刻蚀，对铝金属上方的氮化硅、氮化硅、氮化钛、进行刻蚀，为保证较快的刻蚀速率，一般射频功率和压力都较高，一般采用定时控制的办法来控制刻蚀时间，并保证足够的过刻蚀(一般过刻蚀50%以上)。但是，由于绝缘层沉积厚度的变化，透光率的变化，刻蚀机台本身的参数漂移等等，都会引起铝焊垫刻蚀速率发生变化，从而发生氮化钛残留本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理铝焊垫上的氮化钛残留物的工艺方法，包括：衬底、所述衬底内设有的金属层、所述衬底与所述金属层上表面之间设有顶部金属阻挡层、所述衬底与所述金属层下表面之间设有底部金属阻挡层、所述衬底上表面设有的阻挡层以及所述阻挡层沉积的光阻层，所述光阻层位于所述金属层正上方镂空，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤一，对未被所述光阻层所覆盖的所述阻挡层以及所述阻挡层下方的所述衬底与顶部金属阻挡层进行刻蚀，直至刻蚀至所述金属层；步骤二，将光阻层完全移除；步骤三，进行氮化硅的沉积，所述氮化硅覆盖于所述阻挡层、衬底侧壁顶部金属阻挡层侧壁以及金属层上表面；步骤四，在所述氮化硅上表面进行光阻层沉积，并利用铝焊垫光刻的...

【技术特征摘要】
1.一种处理铝焊垫上的氮化钛残留物的工艺方法，包括:衬底、所述衬底内设有的金属层、所述衬底与所述金属层上表面之间设有顶部金属阻挡层、所述衬底与所述金属层下表面之间设有底部金属阻挡层、所述衬底上表面设有的阻挡层以及所述阻挡层沉积的光阻层，所述光阻层位于所述金属层正上方镂空，其特征在于，包括以下工艺步骤: 步骤一，对未被所述光阻层所覆盖的所述阻挡层以及所述阻挡层下方的所述衬底与顶部金属阻挡层进行刻蚀，直至刻蚀至所述金属层； 步骤二，将光阻层完全移除； 步骤三，进行氮化硅的沉积，所述氮化硅覆盖于所述阻挡层、衬底侧壁顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨渝书，李程，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：