一种晶圆表面缺陷修复方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆表面缺陷修复方法，利用等离子体将氧气进行去耦合化，形成高能的氧自由基，与基底硅进行反应，形成氧化物，修复表面缺陷。本发明专利技术利用去耦合等离子氧化物方法，降低硅基底背面减薄造成的表面缺陷，通过在硅基底背面减薄后的表面上形成一层去耦合等离子氧化物DPO，降低硅基底背面减薄造成的表面缺陷，解决了因表面缺陷所引起的传感器的暗电流和白像素等问题，使得能够制造出优质的背照式CMOS影像传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造工艺领域，尤其涉及一种修复晶圆表面缺陷的方法。
技术介绍
在制造背照式CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor/互补金属氧化物)影像传感器的方法过程中，需要将器件晶圆的背面减薄，以使入射光从背面摄入光电二极管，在减薄的过程中往往会造成硅基底的破坏，产生表面缺陷，造成传感器的暗电流和白像素等问题。现有技术中是采用在晶圆背面减薄后淀积蒸汽氧化物的方式来解决表面缺陷的问题。淀积蒸汽氧化物是使用携带水蒸气的氧气代替干氧作为氧化气体，水蒸汽也常由蒸汽供给，称为热蒸汽。在氧化生长中，湿氧反应会产生一层二氧化硅膜。潮湿环境有更快的生长速率是由于水蒸汽比氧气在二氧化硅中扩散更快、溶解度更高。虽然采用蒸汽氧化物可以在一定程度上缓解表面缺陷的问题，但是反应生成的氢分子会束缚在固态的二氧化硅层中，使得表面缺陷修复的效果仍然不佳。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种有效降低晶圆表面缺陷的修复方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，通过射频源产生高能等离子体，所述高能等离子体使氧气分子在室温下去稱合化，形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆表面缺陷修复方法，其特征在于，通过射频使氧气分子在室温下去耦合化，形成高能的氧自由基，所述氧自由基与放置在反应腔中的基底硅进行反应，在基底硅的表面上形成去耦合等离子氧化物。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面缺陷修复方法，其特征在于，通过射频使氧气分子在室温下去耦合化，形成闻能的氧自由基，所述氧自由基与放置在反应腔中的基底娃进行反应，在基底娃的表面上形成去耦合等离子氧化物。2.根据权利要求1所述的一种晶圆表面缺陷修复方法，其特征在于:所述反应腔内腔体压力为10至9OmT。3.根据权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，
申请(专利权)人：陆伟，
类型：发明
国别省市：