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本发明涉及一种晶圆表面缺陷修复方法，利用等离子体将氧气进行去耦合化，形成高能的氧自由基，与基底硅进行反应，形成氧化物，修复表面缺陷。本发明利用去耦合等离子氧化物方法，降低硅基底背面减薄造成的表面缺陷，通过在硅基底背面减薄后的表面上形成一层去...
该专利属于陆伟所有，仅供学习研究参考，未经过陆伟授权不得商用。

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